Iris 波導(dǎo)濾波器的HFSS和Designer協(xié)同仿真設(shè)計(jì)

    i. 考慮到后面要使用與Ansoft Designer 的協(xié)同仿真，每個(gè)求解設(shè)置下必須只包含一個(gè)掃頻設(shè)置（在HFSS 單獨(dú)使用時(shí)，掃頻設(shè)置的數(shù)目不受限制），并且掃頻設(shè)置使用默認(rèn)名稱Sweep1；

    ii. 對于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)來說推薦使用快速掃頻；只有當(dāng)仿真的頻段達(dá)到波導(dǎo)的截止頻率時(shí)，才推薦使用插值掃頻； 取消Save Fields前面的勾選可減少硬盤空間的需求；

    端口設(shè)置：

    i. 使用波端口（waveports）

    ii. 僅求解一個(gè)模式 ( 主模)

    iii. 在每個(gè)基本單元的兩個(gè)端口上都定義積分線，這樣可以避免求解出的電 場相位有180 度的相差；

    iv.  這樣一來，在每個(gè)端口處都只求解主模；我們知道在波導(dǎo)內(nèi)部，IRIS 的存在會(huì)產(chǎn)生高次模（消逝模式）；然而，這些模式會(huì)迅速呈指數(shù)衰減，當(dāng)波端口距離iris 足夠遠(yuǎn)時(shí)，這些高次模還沒反射到端口處就已經(jīng)衰耗到很小的數(shù)量級（通常小于-20dB 時(shí)，高次�？杀缓雎圆挥�(jì)），工程上可忽略不計(jì)； 在IRIS 基本單元中，我們可以設(shè)置波導(dǎo)長為2*a，a 為波導(dǎo)截面的寬；

    v. 在這個(gè)例子中，我們把波導(dǎo)壁簡化為理想導(dǎo)體，可無需畫出波導(dǎo)壁，HFSS 會(huì)默認(rèn)仿真物體與背景交界的面為PEC，這將不考慮金屬損耗；

    vi. 如果結(jié)構(gòu)中存在兩個(gè)放置很近的 IRIS，這種情況下可能除了主模以外的少數(shù)幾個(gè)高次模在到達(dá)波端口之前還沒有得到很好的衰減，那么你需要將兩個(gè)IRIS 一并當(dāng)作一個(gè)基本單元在HFSS 中仿真。

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