HFSS理想磁邊界條件及其設(shè)置操作
Perfect H是一種理想的磁邊界條件,這種邊界條件的電場矢量與物體表面相切,磁場矢量與物體表面垂直。需要說明的是,在真實世界中不存在理想磁邊界,它只是理論上的約束條件。在HFSS中靈活應(yīng)用理想磁邊界條件,可以實現(xiàn)如下兩個重要功能。
(1)在背景默認(rèn)的理想導(dǎo)體邊界條件上疊加理想磁邊界條件,可以模擬開放的自由空間。
(2)在理想導(dǎo)體邊界上疊加理想磁邊界將去掉理想導(dǎo)體邊界的特性,恢復(fù)所選擇區(qū)域為其原先的材料特性;也就相當(dāng)于在理想導(dǎo)體表面上開個口,允許電場穿過。例如,使用該功能可以模擬在地平面上開個孔允許同軸饋線進出。
對于理想磁邊界疊加到理想導(dǎo)體邊界的情況,我們也稱之為自然邊界條件。
理想磁邊界條件的設(shè)置操作步驟如下。
(1)選中需要分配為理想磁邊界條件的物體表面。
(2)從主菜單欄選擇【HFSS】→【Boundaries】→【Assign】→【Perfect H】操作命令,或者在三維模型窗口內(nèi)單擊鼠標(biāo)右鍵,從彈出菜單中選擇【Assign Boundary】→【Perfect H】操作命令,打開圖示的理想磁邊界條件設(shè)置對話框。
(3)在該對話框中,Name欄輸入理想磁邊界條件的名稱,默認(rèn)名稱為PerfHn,然后單擊 按鈕,完成理想磁邊界條件的設(shè)置。
(4)設(shè)置完成后,邊界條件的名稱會自動添加到工程樹中的Boundaries節(jié)點下。
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