CST系統(tǒng)級(jí)RS仿真（三）- RS仿真場(chǎng)地較準(zhǔn)（單點(diǎn)加擾模式）

作者 | Zhou Ming

CST系統(tǒng)級(jí)RS仿真來到第三期。之前，我們介紹了

CST系統(tǒng)級(jí)RS仿真（一）——天線建模 ,

CST系統(tǒng)級(jí)RS仿真（二）——RS仿真場(chǎng)地較準(zhǔn)（掃頻模式），

這次我們來模擬單頻點(diǎn)干擾模式。

首先，在CST電路工作室創(chuàng)建一個(gè)trans任務(wù)，激勵(lì)信號(hào)設(shè)置為500MHz的正弦波信號(hào)，以模擬500MHz的干擾，電壓設(shè)為1.4V，即峰峰值2.8V。

從16個(gè)E-probe上，可以看到3m處場(chǎng)強(qiáng)大概在0.63-0.85V/m之間，我們?nèi)?.65V/m作為基準(zhǔn)值。通過簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)計(jì)算，如果目標(biāo)場(chǎng)強(qiáng)是10V/m，那么激勵(lì)信號(hào)需要增大10/0.65=15.4倍。

接下來，我們重新設(shè)置激勵(lì)信號(hào)的電壓值，如下圖所示。

重新在電路中運(yùn)行trans任務(wù)后，再次回到3D界面，我們可以看到16個(gè)E-probe中，至少有12個(gè)的場(chǎng)強(qiáng)滿足10V/m要求。

通過2D結(jié)果也可以看到測(cè)試區(qū)域的場(chǎng)強(qiáng)的分布非常均勻，滿足測(cè)試要求。到此，場(chǎng)地較準(zhǔn)仿真全部完成。