9.5 給耦合器模型分配邊界條件和激勵(lì)

    設(shè)置環(huán)形帶狀線 Trace 為理想導(dǎo)體邊界條件，設(shè)置其4 個(gè)輸入/輸出端口的激勵(lì)方式為波端口激勵(lì)。

     1．設(shè)置環(huán)形帶狀線Trace 為理想導(dǎo)體邊界

    在操作歷史樹下選中環(huán)形帶狀線 Trace，選中后的環(huán)形帶狀線模型會(huì)高亮顯示；然后右鍵 單擊工程樹下的 Boundaries 節(jié)點(diǎn)，從彈出菜單中選擇【Assign】→【Perfect E】，打開 Perfect E Boundary 對(duì)話框，如圖 9.18 所示。直接單擊對(duì)話框的按鈕，設(shè)置選中的環(huán)形帶狀線 Trace 為理想導(dǎo)體邊界。

圖 9.18 設(shè)置環(huán)形帶狀線 Trace 為理想導(dǎo)體邊界

    2．設(shè)置耦合器4 個(gè)端口為波端口激勵(lì)

    耦合器 4 個(gè)端口的編號(hào)如圖 9.19 所示，4 個(gè)端口的激勵(lì)方式都設(shè)置為波端口激勵(lì)。首先設(shè)置端口 1 為波端口激勵(lì)。

圖 9.19 耦合器4 個(gè)端口的編號(hào)

    單擊F 鍵，切換到面選擇狀態(tài)。在介質(zhì)層 Substrate 的上表面靠近端口1 處，單擊鼠標(biāo)，選中物體Substrate 的上表面，然后按下快捷鍵 Ctrl+B，此時(shí)會(huì)選中端口 1 所在的表面。選中端口1 表面后，右鍵單擊工程樹下的 Excitations 節(jié)點(diǎn)，從彈出菜單中選擇【Assign】→【W(wǎng)ave Port】， 打開如圖 9.20 所示的“終端線設(shè)置”對(duì)話框，單擊該對(duì)話框的按鈕，設(shè)置端口1 的激勵(lì)方式為波端口激勵(lì)。端口1 的激勵(lì)方式設(shè)置完成后，默認(rèn)的端口激勵(lì)名稱 WavePort1 和終端線 名稱 Trace_T1 會(huì)添加到工程樹的 Boundaries 節(jié)點(diǎn)下。右鍵單擊工程樹 Boundaries 節(jié)點(diǎn)下的端 口激勵(lì)名稱 WavePort1，從彈出菜單中選擇【Rename】命令，重新命名激勵(lì)名稱為 P1；在工程 樹下，單擊 P1 左側(cè)的 按鈕，展開 P1，會(huì)看到默認(rèn)的終端線名稱 Trace_T1；右鍵單擊終端線名稱 Trace_T1，在彈出菜單中選擇【Rename】命令，重新命名終端線名稱為T1。

圖 9.20 “終端線設(shè)置”對(duì)話框

    雙擊工程樹 Boundaries 節(jié)點(diǎn)下的端口激勵(lì) P1，打開Wave Port 對(duì)話框，選中對(duì)話框的 Post Processing 選項(xiàng)卡，確認(rèn)其端口阻抗為 50 歐姆，如圖 9.21 所示；然后單擊按鈕，關(guān)閉該對(duì)話框。

圖 9.21 Wave Port 對(duì)話框

    使用相同的操作，分別設(shè)置端口 2、端口 3、端口 4 的激勵(lì)方式為波端口激勵(lì)，并把波 端口激勵(lì)和終端線的名稱分別命名為 P2、P3、P4 和 T2、T3、T4。波端口設(shè)置好之后，工程 樹下的 Boundaries 節(jié)點(diǎn)如圖 9.22 所示。

圖 9.22 工程樹下的波端口和終端線名稱 


    說(shuō)明： 在終端驅(qū)動(dòng)求解類型下，HFSS11 版本和 HFSS11 之前的版本關(guān)于波端口激勵(lì) 的設(shè)置操作是完全不同的。在 HFSS11 之前的版本中，終端驅(qū)動(dòng)求解類型在定義波 端口激勵(lì)時(shí)需要用戶手動(dòng)設(shè)置終端線（Terminal Lines）作為電壓的積分路徑，HFSS 根據(jù)設(shè)置的終端線計(jì)算端口節(jié)點(diǎn)電壓。在 HFSS11 版本中，由用戶手動(dòng)設(shè)置終端線 作為電壓積分路徑計(jì)算節(jié)點(diǎn)電壓，改為由系統(tǒng)自動(dòng)設(shè)置終端線作為磁場(chǎng)的積分路徑 計(jì)算節(jié)點(diǎn)電流。本章是基于 HFSS11 版本操作講解的，對(duì)于之前版本的操作，讀者 可以參考相關(guān)版本軟件自帶的幫助文檔。