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5.3.6 HFSS 電壓源激勵、電流源激勵和磁偏置激勵

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    5.3.6 電壓源激勵

    電壓源激勵(Voltage…)是定義在兩層導(dǎo)體之間的平面上,用理想電壓源來表示該平面上的電場激勵。定義電壓源激勵時,需要設(shè)置的參數(shù)有電壓的幅度、相位和電場的方向,如圖5.43 所示。


圖 5.43 電壓源激勵設(shè)置對話框

     在使用電壓源激勵時,用戶需要注意以下兩點。

    (1)電壓源激勵所在的平面必須遠小于工作波長,且平面上的電場是恒定電場。

    (2)電壓源激勵是理想的源,沒有內(nèi)阻,因此后處理時不會輸出 S 參數(shù)。

    5.3.7 電流源激勵

    電流源激勵(Current…)定義于導(dǎo)體表面或者導(dǎo)體表面的縫隙上,需要設(shè)定的參數(shù)有導(dǎo)體表面/縫隙的電流幅度、相位和方向,如圖 5.44 所示。


圖 5.44  電流源激勵對話框

    和電壓源激勵一樣,在使用電流源激勵時,用戶也需要注意以下兩點。

    (1)電流源激勵所在的平面/縫隙必須遠小于工作波長,且平面/縫隙上的電流是恒定的。

   (2)電流源激勵是理想的源,沒有內(nèi)阻,因此后處理時不會輸出 S 參數(shù)。

    5.3.8 磁偏置激勵

    當 HFSS 設(shè)計中使用到鐵氧體材料時,需要通過設(shè)置磁偏置激勵(Magnetic Bias…)來定義鐵氧體材料網(wǎng)格的內(nèi)部偏置場;該偏置場使鐵氧體中的磁性偶極子規(guī)則排列,產(chǎn)生一個非零的磁矩。如果應(yīng)用的偏置場是均勻的,張量坐標系可以通過旋轉(zhuǎn)全局坐標系來設(shè)置;如果應(yīng)用的偏置場是非均勻的,不允許旋轉(zhuǎn)全局坐標來設(shè)置張量坐標系。均勻偏置場的參數(shù)可 以由 HFSS 直接輸入,而非均勻偏置場的參數(shù)需要從其他的靜磁求解器(如 Ansoft Maxwell 3D 軟件)導(dǎo)入。