CST中的關(guān)于微帶薄膜電阻的設(shè)置操作

    CST中設(shè)置微帶薄膜電阻分為 3 種情況：

    1) 微帶線(xiàn)有厚度，趨膚深度遠(yuǎn)大于帶線(xiàn)厚度；

   2) 微帶線(xiàn)有厚度，趨膚深度與帶線(xiàn)厚度可比擬；

    3) 微帶線(xiàn)為零厚度。

    以下左圖為 1)、2)情況，右圖為 3)情況。

微帶薄膜電阻

    如上圖所示，在兩微帶線(xiàn)之間新建一個(gè)Brick 方塊并定義其材料作為微帶薄膜電阻，以下是3 種情況下各自材料的定義方法。

    1. 有厚度材料，材料屬性設(shè)為 Normal

    這種設(shè)置適用于微帶線(xiàn)有厚度，趨膚深度遠(yuǎn)大于帶線(xiàn)厚度的情況，如下圖所示：

    如下圖所示，新建的電阻材料 Resistor 材料設(shè)置對(duì)話(huà)框中材料類(lèi)型選用Normal，Conductivity 選項(xiàng)卡中電導(dǎo)率設(shè)為 L/(R*W*t)，這里采用參量設(shè)置，另需要設(shè)置L、R、W、t 四參量的值。其中R即為所希望電阻值。

    2. 有厚度材料，材料屬性設(shè)為 Lossy metal

    這種設(shè)置適用于工作頻率較高，良導(dǎo)體微帶線(xiàn)有一定厚度，但趨膚深度與帶線(xiàn)厚度可比擬的情況。此時(shí)材料類(lèi)型選用Lossy metal。如下圖所示，電導(dǎo)率同樣設(shè)為L(zhǎng)/(R*W*t)。R即為所希望的電阻值。

    這種設(shè)置另適用于電阻值較小的情況。當(dāng)電阻值較大，材料屬性與損耗金屬特性相去甚遠(yuǎn)，則還是推薦使用第一種設(shè)置方法。

    3. 零厚度材料，材料屬性設(shè)為Ohmic Sheet

    這種設(shè)置適用于帶線(xiàn)采用零厚度的情況，如下圖所示：

    其中 W、L 分別為電阻材料的截面寬度和長(zhǎng)度。材料類(lèi)型選用Ohmic Sheet，此時(shí)需要設(shè)置面電阻值 Rs = RW/L，如下圖所示：

    注意：這種方法僅能用于頻域有限元求解器。