CST仿真,波導端口線阻抗為什么會隨著頻率而變化?
作者 | Danner Dan
CST中如果使用波導端口進行激勵,則在仿真完成后,可以從導航樹2D/3D Results >
Port Modes > Port 1 > e1/h1中查看到端口處的線阻抗。
首先通過宏命令:Macros > Calculate >
Calculate analytic Line Impedance創(chuàng)建接地共面波導 (CPW),在下圖所示參數設置后,點擊Build 3D按鈕,會自動創(chuàng)建好接地共面波導3D模型。
在CPW兩端添加波導端口激勵,并將仿真頻率范圍設為0 ~ 10GHz(中心頻率5GHz)后運行仿真,查看端口模式和端口線阻抗,其線阻抗值為38.05 Ohm。
將頻率范圍改為0-30GHz(中心頻率15GHz)后再仿真,可以觀察到線阻抗值變?yōu)?1.41 Ohm。
仔細對比兩個頻率對應的端口模式3D場型圖,可以發(fā)現隨著頻率范圍的改變,端口處雖然都是QTEM模式,但其模式場型已經不再相同。只要在傳輸線的橫截面上存在兩種或兩種以上不同屬性的材料,此傳輸線就必定色散。簡而言之,在這種情況下,同一模式的阻抗會隨著頻率的變化而變化。此類傳輸線稱為非均勻傳輸線 (inhomogeneous
transmission line)。
為了觀察模式場型和端口線阻抗與頻率之間的對應關系,下面分別給出了中心頻率為5GHz、8GHz、12GHz、15GHz處的端口電場模式圖。
① 中心頻率5GHz:線阻抗38.05 Ohm:
② 中心頻率8GHz:線阻抗40.04 Ohm:
③ 中心頻率12GHz:線阻抗60.44 Ohm:
④ 中心頻率15GHz:線阻抗91.41 Ohm:
通過觀察可以發(fā)現隨著中心頻率逐漸變大,QTEM模式的場型也隨之漸變,從8GHz左右,傳輸線的色散特性開始顯現,整個場型開始逐漸變化,端口線阻抗也開始非線性增大。對比中心頻率為5GHz和15GHz的端口模式場型圖,即可發(fā)現雖然端口模式的類型沒有變化,但是場型已經發(fā)生了改變,所以端口線阻抗也隨之改變。
如果端口處的傳輸線是色散的,且仿真帶寬較大的話,建議作如下設置:在功能區(qū)的Simulation選項卡下,點擊T-Solver 圖標,進入時域求解器設置對話框,勾選上紅框顯示部分,啟用非均勻端口精度增強;然后點擊Specials按鈕,切換到Waveguide選項卡,確認Number of frequency samples設置為20。此時CST仿真會在整個頻段根據設置的采樣頻點(此處設置為20個)對每個頻點的端口阻抗進行匹配,從而為之后的S參數等計算進行歸一化。設置完成后點擊時域求解器窗口中的Start按鈕即可開始仿真。
仿真完成后,在導航樹中選擇1D Results >
Port Information > Line Impedance,即可查看端口線阻抗值關于頻率變化的曲線圖,從圖中可以找到前述驗證的中心頻率分別在5GHz、8GHz、12GHz和15GHz的端口線阻抗值。