CST雙貼片天線仿真實(shí)例
構(gòu)建雙貼片天線和相應(yīng)的匹配網(wǎng)絡(luò)，貼片以鏡像配置進(jìn)行了優(yōu)化，將貼片異相激發(fā)180°。在實(shí)際應(yīng)用中，這些類型的天線通常使用連接到天線的SMA同軸電纜進(jìn)行激勵(lì)。選擇相應(yīng)的工程模塊，如下圖所示：
1. 材料加載
2. 模型構(gòu)建
3.饋電端創(chuàng)建
4.貼片創(chuàng)建
5.鏡像操作
6.波導(dǎo)端口激勵(lì)
7.求解設(shè)置
如果僅對(duì)S-Matrix計(jì)算感興趣，請(qǐng)?jiān)O(shè)置S參數(shù)對(duì)稱性以加快仿真過程。，僅計(jì)算一個(gè)端口。
8.查看端口模式
仿真中執(zhí)行的第一個(gè)操作是解決項(xiàng)目中定義的所有波導(dǎo)端口的2D本征模求解器問題。檢查模式類型和線路阻抗值，以確認(rèn)您正確地激勵(lì)了微帶。
選擇端口信號(hào)文件夾。信號(hào)（o1,1＆o2,1）振蕩并緩慢衰減到零。天線諧振如下圖所示
選擇S-Parameters文件夾。這些貼片在3.4 GHz附近匹配，并且彼此之間進(jìn)行耦合（-20 dB）。
選擇電源>激勵(lì)[1]文件夾。
在3.4 GHz時(shí)，大部分接收器功率（= Pstimo（1- | S11 | 2- | S21 | 2）從貼片天線輻射出去。一小部分在電介質(zhì)（Taconic）和金屬（ 銅）內(nèi)。
實(shí)時(shí)場圖如下所示：
遠(yuǎn)場圖如下所示：
獲得的遠(yuǎn)場激勵(lì)端口[1]相對(duì)于遠(yuǎn)場[2]鏡像（平面法線：x）。
結(jié)果合并
從“后處理”功能區(qū)中打開“合并結(jié)果”以應(yīng)用疊加原理（線性系統(tǒng)）。
指定每個(gè)端口的幅度和相移。此操作模擬以相同的功率（0.5 W）和寬帶相移（180°）同時(shí)激勵(lì)貼片，以獲得相位干擾。操作如下圖所示：
在1D結(jié)果，2D / 3D結(jié)果和Farfield下，將使用激勵(lì)字符串1 [1,0] 2 [1,180]自動(dòng)創(chuàng)建新條目。
在“ S參數(shù)”文件夾中選擇新條目。與標(biāo)準(zhǔn)S參數(shù)（S1,1）相比，端口上的入射和反射電壓波譜的比率（只有一個(gè)端口被激發(fā)，而其他所有端口都完全匹配）。所有激發(fā)的端口均根據(jù)其自身的入射波進(jìn)行歸一化。如下圖所示：
實(shí)時(shí)場圖如下圖所示：
端口1和端口2同時(shí)被激勵(lì)。
遠(yuǎn)場圖如下圖所示：
與單一激勵(lì)情況（6.55 dBi）相比，組合激勵(lì)導(dǎo)致天線的指向性更高（8.85 dBi）。
彩蛋：對(duì)于由數(shù)百個(gè)/數(shù)千個(gè)端口組成的較大陣列，就計(jì)算時(shí)間而言，使用同步激勵(lì)直接執(zhí)行仿真會(huì)更有效。如下圖所示：
