CST中E-Scatter求解？
模擬環(huán)境的source是一個(gè)平面波,
想請(qǐng)問如何求得空間中某點(diǎn)的E-scatter(散射場(chǎng)值)?
就我知道probe算出來的E是總場(chǎng),(有想過用 E總場(chǎng)-E入射 可求得),
想問是否有更好的方法可以直接得到.不必再額外自己做計(jì)算求得,
若是利用RCS,但有點(diǎn)不太清楚的是RCS是指散射場(chǎng)還是總場(chǎng)的部份?
有勞各位幫忙,謝謝^^！
RCS求的當(dāng)然是散射場(chǎng)和總場(chǎng)能量的比值，但是E場(chǎng)是總場(chǎng)不是散射場(chǎng)這個(gè)需要注意，想得到任一點(diǎn)的散射場(chǎng)用總場(chǎng)減去入射方向上的入射場(chǎng)就可以了，貌似不是很麻煩吧……
謝謝小編的教導(dǎo)^^！
我知道怎麼做了
3Q
hao dong xi xiexi el
rcs是散射場(chǎng)和入射場(chǎng)能量的比值。不是跟總場(chǎng)的比值。
謝謝！是P-scatter / P-incident,在CST教學(xué)手冊(cè)有看到說明.
有一點(diǎn)想請(qǐng)教一下,我用Probe(有限距離)測(cè)得出來的電場(chǎng).發(fā)現(xiàn)並非是總場(chǎng)而是散射/入射的比值.
我是由Probe的RCS&E(farfield)這兩種跑出來得值(曲線圖)來做比較.
再由RCS的公式推導(dǎo)出來發(fā)現(xiàn)竟是比值(E-scatter / E-incident).
感到非常的納悶,到底Probe(E-farfield)測(cè)得出來的值是E總場(chǎng)還是E 散射/入射的比值?
Probe測(cè)的是總場(chǎng)，rcs是散射場(chǎng)能量和入射場(chǎng)能量的比值
