CST縫隙屏蔽效能計算

問題描述：
在采用CST計算縫隙結(jié)構(gòu)的屏蔽效能的過程中，遇到兩個問題：（1）是模擬平面波時的邊界條件設(shè)置不知是否合理；（2）個人認(rèn)為屏蔽效能結(jié)果不對，但不清楚問題出在哪里。
上圖為需要模擬的縫隙結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)由上下兩塊金屬板構(gòu)成，中間形成寬度為0.6mm的縫隙，兩塊金屬板的尺寸分別為100mm×60mm×2mm，縫隙尺寸為100mm×0.6mm×2mm。為了獲得縫隙結(jié)構(gòu)后方的屏蔽效能，在距離縫隙一定距離處的中心位置放置Y方向電場探針（Y方向為平面波的電場方向，當(dāng)電場方向與縫隙走向垂直時，電場更容易耦合穿過縫隙）。
為了模擬平面波的照射，在確定平面波的電場方向后，利用電邊界和磁邊界的設(shè)置來模擬平面波的設(shè)置，不知這種處理方法是否合理，對探針位置的電磁場分布仿真結(jié)果影響是否比較大。曾看到過CST的一個資料是將四周的邊界條件（除平面波傳播的兩個方向外）設(shè)置為OPEN，但這種設(shè)置會導(dǎo)致計算時間變得很長，很難收斂（不是搞算法出身，不清楚原因，望指教）。
計算中采用的是高斯脈沖作為激勵信號，通過傅里葉變換，關(guān)心頻段內(nèi)的幅度歸一化為0dB在對邊界條件進行設(shè)置后，計算獲得上圖所示的計算結(jié)果。圖中所示的負值表示的是經(jīng)過縫隙結(jié)構(gòu)衰減的量，其相反數(shù)對應(yīng)的即是不同頻率下的屏蔽效能。然而，從物理機理上大概可以判斷，頻率越高，屏蔽效能越小，即應(yīng)該出現(xiàn)的曲線走勢應(yīng)該是隨著頻率增大而增大，而計算得到的曲線是隨著頻率增大而減小，呈現(xiàn)出相反的趨勢，不知是何原因，是邊界條件的設(shè)置有問題，還是有什么地方?jīng)]有考慮到？
這個問題感覺會low，依然希望各位牛人多多指教。
附件是CST計算模型（2014版本）。
附件: MF.zip (12 K)

問題描述：
在采用CST計算縫隙結(jié)構(gòu)的屏蔽效能的過程中，遇到兩個問題：（1）是模擬平面波時的邊界條件設(shè)置不知是否合理；（2）個人認(rèn)為屏蔽效能結(jié)果不對，但不清楚問題出在哪里。
上圖為需要模擬的縫隙結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)由上下兩塊金屬板構(gòu)成，中間形成寬度為0.6mm的縫隙，兩塊金屬板的尺寸分別為100mm×60mm×2mm，縫隙尺寸為100mm×0.6mm×2mm。為了獲得縫隙結(jié)構(gòu)后方的屏蔽效能，在距離縫隙一定距離處的中心位置放置Y方向電場探針（Y方向為平面波的電場方向，當(dāng)電場方向與縫隙走向垂直時，電場更容易耦合穿過縫隙）。
為了模擬平面波的照射，在確定平面波的電場方向后，利用電邊界和磁邊界的設(shè)置來模擬平面波的設(shè)置，不知這種處理方法是否合理，對探針位置的電磁場分布仿真結(jié)果影響是否比較大。曾看到過CST的一個資料是將四周的邊界條件（除平面波傳播的兩個方向外）設(shè)置為OPEN，但這種設(shè)置會導(dǎo)致計算時間變得很長，很難收斂（不是搞算法出身，不清楚原因，望指教）。
計算中采用的是高斯脈沖作為激勵信號，通過傅里葉變換，關(guān)心頻段內(nèi)的幅度歸一化為0dB在對邊界條件進行設(shè)置后，計算獲得上圖所示的計算結(jié)果。圖中所示的負值表示的是經(jīng)過縫隙結(jié)構(gòu)衰減的量，其相反數(shù)對應(yīng)的即是不同頻率下的屏蔽效能。然而，從物理機理上大概可以判斷，頻率越高，屏蔽效能越小，即應(yīng)該出現(xiàn)的曲線走勢應(yīng)該是隨著頻率增大而增大，而計算得到的曲線是隨著頻率增大而減小，呈現(xiàn)出相反的趨勢，不知是何原因，是邊界條件的設(shè)置有問題，還是有什么地方?jīng)]有考慮到？
這個問題感覺會low，依然希望各位牛人多多指教。
附件是CST計算模型（2014版本）。
附件: 問題描述.doc (95 K)

不懂原理。如果下面的這個帖子幫不到你的話，我也不懂其它更多的東西了。

換了個算法，規(guī)律好像差不多。
激勵信號

探針

TLM求解

三個探針上的電場波形

探針上電場頻域值

如果仿真沒問題的話，那么某些直觀的物理認(rèn)知可能是有偏差的。