噪聲處理實(shí)例：降低BOOST輻射EMI

來(lái)源：EMC容冠電磁更新時(shí)間：2024-07-21 閱讀：

本節(jié)從一些實(shí)例出發(fā)，理論結(jié)合實(shí)際來(lái)進(jìn)一步探討電源噪聲處理的方式選擇和效果評(píng)估。

01 Boost型DC-DC輻射EMI分析

圖1是典型的同步Boost電路，由輸入電容Cin，電感L，開關(guān)器件Q1、Q2以及輸出電容Cout組成，同時(shí)形成4個(gè)回路。

Loop2和Loop3為開關(guān)電流斷續(xù)回路，具有高di/dt和dv/dt，因此SW節(jié)點(diǎn)振鈴明顯。Loop1和Loop4雖然是存在反復(fù)充電放電，但卻是電流連續(xù)回路，電感電流連續(xù)，高頻噪聲主要來(lái)源于SW節(jié)點(diǎn)開關(guān)高頻噪聲的傳導(dǎo)，由于Q2電流斷續(xù)（Boost的特征），Cout的容值大小以及位置決定了Loop4中Vout節(jié)點(diǎn)高頻噪聲幅值。

圖1 BOOST開關(guān)回路分析

圖2為SW節(jié)點(diǎn)典型的開關(guān)波形（輸出僅放置Bulk電容），SW開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴幅值高達(dá)10V，震蕩頻率為200MHz左右。

圖2 SW開關(guān)節(jié)點(diǎn)波形

圖3是對(duì)應(yīng)于圖2的實(shí)際輻射EMI測(cè)試結(jié)果，采用3m方法，藍(lán)色為垂直方向，紅色為水平方向。測(cè)試結(jié)果顯示噪聲在頻域上的峰值在200MHz附近，與時(shí)域測(cè)試結(jié)果圖2吻合，因此抑制輻射EMI峰值意味著需要大幅度降低SW節(jié)點(diǎn)的振鈴幅值，以及振鈴周期數(shù)。

圖3 輻射EMI測(cè)量幅值（CE測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）

02 BOOST輸出電容選擇

如圖1所示，Boost的Cout選擇有幾個(gè)關(guān)鍵考慮點(diǎn)：

1、輸出紋波幅值；

2、系統(tǒng)穩(wěn)定性需求；

3、SW節(jié)點(diǎn)的振鈴幅值；

4、輸出電容耐壓等級(jí)（陶瓷電容容值隨耐壓增加而衰減）。其中1、2、3、4與SW節(jié)點(diǎn)振鈴幅值，輻射EMI息息相關(guān)。

圖1中輸出回路3（包含Q2、Cout）是斷續(xù)回路，必須連接一個(gè)100nF-1uF去耦電容，該去耦電容對(duì)于降低SW振鈴幅值有著關(guān)鍵作用。

為了獲得低的輸出紋波，建議選擇低ESR陶瓷電容，通常3~4顆22uF的X5R電容可以滿足大多數(shù)應(yīng)用，更大的容值有利于輸出電壓動(dòng)態(tài)響應(yīng)。鑒于陶瓷電容隨著電壓增加，容值減小的特性，建議選擇電容耐壓時(shí)考慮留有足夠的裕量。例如輸出電壓12V，建議至少選擇20V或者25V耐壓電容以維持足夠有效的電容值。

根據(jù)輸出紋波幅值要求，可以利用如下公式計(jì)算最小需求電容值Cout。

其中Vripple_C是輸出紋波幅值，Vripple_ESR是輸出電容ESR導(dǎo)致的紋波，I_Lpeak是電感電流峰值，ESR是輸出電容的ESR。

03 Layout注意點(diǎn)

1、由于輸出回路是開關(guān)回路，高di/dt和dv/dt，減小回路面積至關(guān)重要，輸出回路去耦電容必須放置在離Vout、GND管腳最近的位置，從而降低SW振鈴幅值，如圖4紅色箭頭所示，利用NC管腳作為輸出功率地，從而更近一步降低輸出回路面積，Vout、NC管腳鋪銅盡量寬；

圖4 推薦Layout

2、由于SW的高頻振鈴?fù)瑯訒?huì)耦合至輸入端，輸入Bulk電容需要盡量放置離電感、GND近的位置以減小輸入回路面積，輸入端去耦電容同樣需要離Vin端越近越好；

3、下層大面積鋪地，降低地回路阻抗，采用8mil的過(guò)孔連接上下大地，降低熱阻；

4、從系統(tǒng)穩(wěn)定性考慮， AGND與PGND單端相連，通過(guò)散熱焊盤底部相連，（散熱焊盤同時(shí)也是功率地）。當(dāng)Vout添加上去耦電容，并嚴(yán)格按照版圖注意事項(xiàng)布板，測(cè)試波形如下圖5所示，SW振鈴幅值降低到6V，同時(shí)震蕩明顯周期變少。