噪聲處理實例:降低BOOST輻射EMI
本節(jié)從一些實例出發(fā),理論結(jié)合實際來進(jìn)一步探討電源噪聲處理的方式選擇和效果評估。
01 Boost型DC-DC輻射EMI分析
圖1是典型的同步Boost電路,由輸入電容Cin,電感L,開關(guān)器件Q1、Q2以及輸出電容Cout組成,同時形成4個回路。
Loop2和Loop3為開關(guān)電流斷續(xù)回路,具有高di/dt和dv/dt,因此SW節(jié)點振鈴明顯。Loop1和Loop4雖然是存在反復(fù)充電放電,但卻是電流連續(xù)回路,電感電流連續(xù),高頻噪聲主要來源于SW節(jié)點開關(guān)高頻噪聲的傳導(dǎo),由于Q2電流斷續(xù)(Boost的特征),Cout的容值大小以及位置決定了Loop4中Vout節(jié)點高頻噪聲幅值。
圖1 BOOST開關(guān)回路分析
圖2為SW節(jié)點典型的開關(guān)波形(輸出僅放置Bulk電容),SW開關(guān)節(jié)點振鈴幅值高達(dá)10V,震蕩頻率為200MHz左右。
圖2 SW開關(guān)節(jié)點波形
圖3是對應(yīng)于圖2的實際輻射EMI測試結(jié)果,采用3m方法,藍(lán)色為垂直方向,紅色為水平方向。測試結(jié)果顯示噪聲在頻域上的峰值在200MHz附近,與時域測試結(jié)果圖2吻合,因此抑制輻射EMI峰值意味著需要大幅度降低SW節(jié)點的振鈴幅值,以及振鈴周期數(shù)。
圖3 輻射EMI測量幅值(CE測試標(biāo)準(zhǔn))
02 BOOST輸出電容選擇
如圖1所示,Boost的Cout選擇有幾個關(guān)鍵考慮點:
1、輸出紋波幅值;
2、系統(tǒng)穩(wěn)定性需求;
3、SW節(jié)點的振鈴幅值;
4、輸出電容耐壓等級(陶瓷電容容值隨耐壓增加而衰減)。其中1、2、3、4與SW節(jié)點振鈴幅值,輻射EMI息息相關(guān)。
圖1中輸出回路3(包含Q2、Cout)是斷續(xù)回路,必須連接一個100nF-1uF去耦電容,該去耦電容對于降低SW振鈴幅值有著關(guān)鍵作用。
為了獲得低的輸出紋波,建議選擇低ESR陶瓷電容, 通常3~4顆22uF的X5R電容可以滿足大多數(shù)應(yīng)用,更大的容值有利于輸出電壓動態(tài)響應(yīng)。鑒于陶瓷電容隨著電壓增加,容值減小的特性,建議選擇電容耐壓時考慮留有足夠的裕量。例如輸出電壓12V,建議至少選擇20V或者25V耐壓電容以維持足夠有效的電容值。
根據(jù)輸出紋波幅值要求,可以利用如下公式計算最小需求電容值Cout。
其中Vripple_C是輸出紋波幅值,Vripple_ESR是輸出電容ESR導(dǎo)致的紋波,I_Lpeak是電感電流峰值,ESR是輸出電容的ESR。
03 Layout注意點
1、由于輸出回路是開關(guān)回路,高di/dt和dv/dt,減小回路面積至關(guān)重要,輸出回路去耦電容必須放置在離Vout、GND管腳最近的位置,從而降低SW振鈴幅值,如圖4紅色箭頭所示,利用NC管腳作為輸出功率地,從而更近一步降低輸出回路面積,Vout、NC管腳鋪銅盡量寬;
圖4 推薦Layout
2、由于SW的高頻振鈴?fù)瑯訒詈现凛斎攵耍斎隑ulk電容需要盡量放置離電感、GND近的位置以減小輸入回路面積,輸入端去耦電容同樣需要離Vin端越近越好;
3、下層大面積鋪地,降低地回路阻抗,采用8mil的過孔連接上下大地,降低熱阻;
4、從系統(tǒng)穩(wěn)定性考慮, AGND與PGND單端相連,通過散熱焊盤底部相連,(散熱焊盤同時也是功率地)。當(dāng)Vout添加上去耦電容,并嚴(yán)格按照版圖注意事項布板,測試波形如下圖5所示,SW振鈴幅值降低到6V,同時震蕩明顯周期變少。
圖5 添加去耦電容和推薦Layout
04 SW開關(guān)節(jié)點噪聲吸收電路選擇
在SW開關(guān)節(jié)點添加對地的RC高頻噪聲吸收電路如圖6所示,可以直接降低SW節(jié)點振鈴幅值,該吸收電路通過降低dv/dt來降低SW節(jié)點振鈴幅值,因此該電路會犧牲小于1%的Boost效率。
圖6 采用SW節(jié)點振鈴吸收電路
SW高頻噪聲在200MHz附近,因此選擇Rs=2Ω,Cs=2nF,圖6為SW節(jié)點加上該吸收電路,測試結(jié)果為圖7所示,相比于圖2所示,SW幅值大幅降低(藍(lán)色=SW、綠色=Vin AC)。
圖7 添加SW振鈴吸收電路,測試波形
基于無系統(tǒng)級的EMI濾波器,圖8為添加SW節(jié)點RC吸收電路后輻射EMI測試結(jié)果,相較于圖3,EMI峰值下降了20dB。
圖8 輻射EMI測試結(jié)果(RC緩沖電路)
05 磁珠的選擇
在系統(tǒng)級應(yīng)用中,如果需要進(jìn)一步降低輻射EMI,貼片式磁珠是最簡單的選擇。關(guān)于磁珠的選擇,有下列幾個注意事項:
1、磁珠的頻率需要覆蓋高頻噪聲頻段,根據(jù)圖3,該磁珠需要在100MHz~300MHz頻段表現(xiàn)為高阻抗值;
2、磁珠的飽和電流需要30%高于實際工作的峰值電流;
3、磁珠的等效阻抗越低越好,有利于減少磁珠帶來的功耗。