濾波器系列之二:電容的應(yīng)用(一)
濾波器系列之(二):電容
任何兩個(gè)彼此絕緣又相互靠近的導(dǎo)體都可以構(gòu)成電容器。電容是表征電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量。在兩個(gè)相距很近的平行金屬板中間夾上一層絕緣物質(zhì)(電介質(zhì)),就組成最簡(jiǎn)單的電容器,叫做平行板電容器。
圖1:平行板電容與計(jì)算公式
一、電容的工作原理:
電容器是由兩個(gè)電極及其間的介電材料構(gòu)成,介質(zhì)材料是一種電介質(zhì),當(dāng)被置于兩塊帶有等量異性電荷的平行極板間的電荷中,由于極化而在介質(zhì)表面產(chǎn)生極化電荷,使束縛在極板上的電荷相應(yīng)增加,維持極板間的電荷不變。
圖2:電容充放電過程
1.1、電容濾波原理
電容器具有〝通高頻阻低頻的特性〞,濾波是利用此特性為干擾頻點(diǎn)提供〝?shù)妥杩孤窂建?。由于電容本身不具有消耗能量的特性,干擾頻點(diǎn)只是通過電容改變了傳播路徑而已,故電容元件又稱反射式濾波元件。
圖3:電容濾波原理
任何信號(hào)只有構(gòu)成回路才能產(chǎn)生電流,回路面積越小產(chǎn)生的EMI干擾就越小,而回流面積取決于信號(hào)路徑長(zhǎng)度,以及回流路徑長(zhǎng)度,信號(hào)布線長(zhǎng)度與回流路徑長(zhǎng)度構(gòu)成的回路面積越小越好,通過增加高頻電容來縮短信號(hào)回流面積是解決EMC問題的殺手锏之一。
干擾實(shí)質(zhì)上并沒有穿過電容到地消耗掉,而是類似電池充電,干擾被吸收到電容兩端,電容容值大小改變的是電荷移動(dòng)的速度,也就是充放電的速度;簡(jiǎn)單理解電容旁路的原理就是干擾在很小的路徑范圍內(nèi)重復(fù)移動(dòng)軌跡。
1.2、電容的頻率特性
圖4:電容的頻率特性對(duì)比
1.2.1、電容容性區(qū)域&感性區(qū)域:
低頻范圍內(nèi)非常接近理想電容器,阻抗與頻率成反比,此區(qū)域稱為容性區(qū)域。隨著頻率的改變,阻抗卻成升高趨勢(shì),電容的寄生電感影響非常明顯,此區(qū)域稱為感性區(qū)域。
電容的ESR與ESL:
圖5:電容的電路等效模型
ESR是Equivalent Series Resistance的縮寫,翻譯過來就是等效串聯(lián)電阻,電容的ESR就是電容串聯(lián)等效電阻。
ESL是Equivalent Series Inductance的縮寫,翻譯過來就是等效串聯(lián)電感,電容的ESL就是電容串聯(lián)等效電感。
圖6:電容的ESR曲線對(duì)比
要得到更好的EMC濾波特性,電容具有低ESR是很重要的;由于電容自身的諧振點(diǎn),所以電容并聯(lián)使用時(shí),拓寬通頻帶的同時(shí),也產(chǎn)生新的反諧振點(diǎn);為減少反諧振點(diǎn)的個(gè)數(shù),選擇濾除不同頻段的電容時(shí),相鄰容值最好相差100倍的量級(jí)。
1.2.2、自諧振頻率(Self Resonant Frequency):
阻抗最小值時(shí)的頻率稱為自諧振頻率,此時(shí)Z=ESR,電容的自諧振點(diǎn)也是阻抗最低點(diǎn)。
1.2.3、電容ESR/ESL的影響因素
貼片電容的疊層結(jié)構(gòu)
圖7:貼片疊層結(jié)構(gòu)對(duì)ESR的影響
內(nèi)部電極層數(shù)越多,意味著層間電阻并聯(lián)越多,即阻抗越小,同樣道理ESR就越小。
材質(zhì)的電阻率
ESR與材質(zhì)的電阻率相關(guān),不同材質(zhì)ESR不同,ESR越小,便能使噪聲被旁路的越多,即插入損耗越大,噪聲抑制能力就越好。
圖8:材料的電阻率對(duì)ESR的影響
ESR會(huì)將紋波電壓,轉(zhuǎn)換為熱能,若ESR越高,則轉(zhuǎn)換的熱能就越多;隨著紋波電壓的增大,電容溫度上升,ESR越大溫度上升就越多。溫度上升,電容值也會(huì)有所下降,不同材質(zhì)的電容,隨溫度升高時(shí)電容值的穩(wěn)定性不同。
圖9:ESR對(duì)紋波電流的影響
二、電容應(yīng)用要點(diǎn)說明
2.1、多顆同規(guī)格電容并聯(lián)使用
如果單顆電容的紋波電壓耐受度不夠,則可以選擇多顆電容并聯(lián)使用,并聯(lián)電容數(shù)量依據(jù)紋波電壓需要;多顆同規(guī)格電容并聯(lián)使用,除了可以降低紋波電壓,也可以降低ESR,增大插入損耗。
圖10:不同數(shù)量同規(guī)格電容并聯(lián)使用阻抗曲線
2.2、多顆不同規(guī)格電容并聯(lián)使用
當(dāng)噪聲的頻率范圍很寬時(shí),單個(gè)電容的濾波頻帶無法滿足濾波要求,則需要使用不同規(guī)格的電容拓寬通頻帶。多顆不同規(guī)格電容使用時(shí),不同電容的感性區(qū)域與容性區(qū)域又會(huì)產(chǎn)生交叉點(diǎn),該交叉點(diǎn)正好會(huì)產(chǎn)生并聯(lián)諧振,使濾波阻抗變大降低了濾波效果,該交叉點(diǎn)稱為反諧振。
圖11:不同規(guī)格電容并聯(lián)使用阻抗曲線(存在反諧振點(diǎn))
因此,并聯(lián)不同容值的電容時(shí),其電容值差距應(yīng)充分考量,建議電容容值差是100倍量級(jí),最小差不允許小于10倍量級(jí),以降低反諧振點(diǎn)濾波阻抗。
2.3、使用電容組成低通濾波器
電容通常與電感、磁珠、電阻元件組成低通濾波器,濾除信號(hào)線、電源線上高頻噪聲,低通濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)結(jié)合信號(hào)工作頻率、高頻噪聲頻率選擇合適的電路結(jié)構(gòu)。
圖12:RC低通濾波電路
圖13:LC低通濾波電路
2.4、端口信號(hào)旁路電容
為防止PCB內(nèi)部干擾噪聲沿著連接線纜耦合,形成天線向外輻射干擾,通常會(huì)在PCB接口電路增加高頻旁路電容,將板內(nèi)干擾通過電容旁路回到源端,同時(shí)也防止外部的干擾噪聲進(jìn)入板內(nèi),耦合干擾到板內(nèi)敏感信號(hào)。
圖14:電容應(yīng)用于端口信號(hào)高頻旁路
2.5、芯片供電電源退耦與高頻旁路
芯片供電電源退耦:
半導(dǎo)體制造工藝的持續(xù)提升,芯片工作頻率持續(xù)提高,芯片處理數(shù)據(jù)時(shí)的快速切換,電流突變會(huì)引起供電電壓下降,相當(dāng)于紋波電壓。在芯片供電電源引腳上增加退耦電容,快速補(bǔ)償芯片供電電源引腳因高頻開關(guān)引起的電壓跌落,通常使用的電容相對(duì)較大。
圖15:電容應(yīng)用于芯片供電電源退耦
芯片高頻噪聲旁路:
半導(dǎo)體制造工藝的持續(xù)提升,芯片工作頻率持續(xù)提高,芯片處理數(shù)據(jù)時(shí)的快速切換,在芯片供電電源線上產(chǎn)生高頻噪聲干擾,高頻噪聲進(jìn)入芯片內(nèi)部不同模塊電路時(shí),會(huì)引起模塊電路間的相互干擾。
高頻噪聲形成的高頻電流環(huán)路,不加以控制則會(huì)引起EMI問題,為切斷高頻噪聲耦合路徑,需要在芯片供電電源引腳上增加高頻旁路電容,使高頻噪聲以最小環(huán)路面積回流到源端,改善EMI問題和芯片模塊間串?dāng)_問題。
2.6、芯片退耦或旁路電容的PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn):
圖16:退耦電容或者旁路電容引起共阻抗耦合
供電電源引腳通常在原理圖設(shè)計(jì)階段會(huì)放置兩顆電容,甚至更多。PCB Layout設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)將高頻電容靠近芯片引腳放置,大容量電容或者電解電容則可以距離芯片供電電源引腳稍遠(yuǎn),主要是高頻布線寄生電感的影響。當(dāng)多個(gè)電源引腳遠(yuǎn)離濾波電容較遠(yuǎn)時(shí),不同引腳會(huì)因?yàn)楣灿靡欢蜳CB布線而形成共阻抗耦合,如上圖所示。
2.6.1、單點(diǎn)匯流解決共阻抗耦合:
圖17:不同電源引腳共用濾波電容時(shí)單點(diǎn)匯流解決共阻抗耦合
低成本設(shè)計(jì)時(shí),芯片相同電壓的供電電源引腳共用濾波電容時(shí),每個(gè)電源應(yīng)單點(diǎn)布線在濾波電容處回合,避免共阻抗耦合,如上圖所示。
2.6.2、不同供電電源引腳單獨(dú)退耦解決共阻抗耦合:
圖18:不同電源引腳單獨(dú)退耦解決共阻抗耦合
芯片不同供電電源引腳使用單獨(dú)的高頻電容進(jìn)行高頻退耦,而低頻退耦或者濾波則可以共用濾波電容,這是因?yàn)榈皖l寄生電感的影響可以忽略不計(jì)。
2.6.3、不同供電電源引腳單獨(dú)退耦+磁珠隔離解決共阻抗耦合:
受限于芯片內(nèi)部供電電源引腳內(nèi)阻的影響,有時(shí)候高頻的退耦和旁路效果不理想時(shí),則可以采用不同電源引腳單獨(dú)退耦并增加磁珠進(jìn)行高頻衰減隔離的對(duì)策來解決共阻抗耦合的問題。