EMC工程師考題（一）答案
一、單項選擇題 (每題2分)
1．下列哪一個是歐盟強制認證標志（ D ）
A、CCC B、FCC C、KCC D、CE
2．下列哪一項不屬于EMI（ C ）
A、CE B、CTE C、CS D、RE
3．EMC控制技術主要有濾波、屏蔽和（ A ）
A、接地 B、隔離 C、降噪 D、鋪地
4．如果要降低電容諧振點的阻抗，可以采?。?A ）
A、兩個相同容值的電容并聯 B、兩個不同容值的電容并聯
C、兩個相同容值的電容串聯 D、兩個不同容值的電容并聯
5．下面哪個是CE標準（ A ）
A、EN55032 B、EN61000-6-3 C、EN61000-4-3 D、EN61000-3-3
6．關于峰值檢波、準峰值檢波、平均值檢波，測量時間最短的是（ A ）
A、峰值檢波 B、準峰值檢波 C、平均值檢波 D、峰值檢波與準峰值檢波兩種
7．SURGE LV3等級，線對地測試電壓是多少kV？（ C ）
A、2 B、1 C、4 D、0.5
8．ESD測試中，對金屬部件進行靜電放電，采用哪種槍頭？（ B ）
A、圓形 B、尖形 C、橢圓形 D、正方形
9．一般企業(yè)EMC標準中，對EMI的余量要求是多少dB？（ A ）
A、6 B、3 C、0 D、2
10．EMC包含哪兩個部分？（ C ）
A、CE&RE B、CS&RS C、EMI&EMS D、ESD&EFT/B
11. 電磁干擾的三要素是（ C ）
A、傳導干擾 輻射干擾 空間干擾 B、EMI EMS EMC
C、干擾源 耦合路徑 敏感設備 D、干擾源、耦合路徑、被干擾設備
12. GB4343.2標準中對于浪涌試驗相位角要求的變化是（ D ）
A、正負脈沖分別0? 90? 180? 270? B、正負脈沖分別 90? 270?
C、正負脈沖分別0? 180? D、正脈沖90? 負脈沖270?
13.信息技術設備的EMC發(fā)射試驗依據標準為（ C ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
14.照明器具和燈具的EMC發(fā)射試驗依據標準為（ A ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
15.家用電器和電動工具的EMC發(fā)射試驗依據標準為（ D ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
16.工科醫(yī)（ISM）射頻設備的EMC發(fā)射試驗依據標準為（ B ）
A、GB17443 B、GB4824 C、GB9254 D、GB4343.1
17.導致地線騷擾問題的根本原因是（ A ）
A、地線阻抗 B、負載阻抗 C、輻射騷擾 D、傳導騷擾
18.電源線濾波器的作用是抑制（ C ）沿著電源線傳播。
A、輻射騷擾 B、電磁波 C、傳導騷擾電流 D、互感
19.IEC61000-4-2是什么級別的標準？( A )
A、基礎標準 B、通用標準 C、產品標準 D、系統(tǒng)標準
20.GB9254是什么級別的標準 （ C ）
A、基礎標準 B、通用標準 C、產品標準 D、系統(tǒng)標準
21.全電波暗室是模擬（ A ）測試環(huán)境？
A、自由空間 B、開闊場 C、屏蔽室 D、對流層
22.軍用級別的電子產品檢測大多數檢波方法是（ C ）
A、平均值檢波 B、準峰值檢波 C、峰值檢波 D、有效值檢波
23.自由空間的波阻抗是（ B ）
A、667ohm B、377ohm C、50ohm D、266ohm
24、進行電磁兼容測試前一般要先對電磁環(huán)境電平進行測試，要求所測的環(huán)境電平比要求的限值要低( D )
A、3dB B、10dB、 C、20dB D、6dB
25.以下天線中，適應測試頻率最高的為（ D ）
A、偶極子天線 B、對數周期天線 C、雙錐天線 D、喇叭天線
26.以下標準中，優(yōu)先采用的是（ A ）
A、專用產品標準 B、產品標準 C、通用標準 D、基礎標準
27.IEC61000-6-1是什么級別的標準？（ B ）
A、基礎標準 B、通用標準 C、產品標準 D、系統(tǒng)標準
28.橫電波小室（ C ）可以用來代替以下哪種天線？
A、對數周期天線 B、雙錐天線 C、平板電線 D、復合天線
29.以下測試環(huán)境中，不帶電磁吸波材料的是（ A ）
A、屏蔽室 B、半電波暗室 C、全電波暗室 D、橫電波小室
30.天線輻射的電磁波在遠場的強度與距離D的關系是（ A ）
A、與D成反比 B、與D的2倍成反比
C、與D的3倍成反比 D、強度與距離沒關系
31.根據電磁干擾的機理，以下措施中可達到電磁兼容狀態(tài)的是（ D ）
A、抑制干擾源 B、降低設備敏感度
C、切斷噪聲耦合路徑 D、以上三項都可以
32.一臺設備，原來的電磁輻射發(fā)射強度是300，加上屏蔽體后，輻射發(fā)射降為3，那這個屏蔽體的屏蔽效能是（ D ）
A、100dB B、1000dB C、10dB D、40dB
33.通用標準將特定的電磁環(huán)境分為兩類:一類是居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境，另一類是（ A ）
A、工業(yè)環(huán)境 B、惡劣環(huán)境
B、民用環(huán)境 D、軍用環(huán)境
34.關于EMC描述正確的是（ A ）
A、設備在共同的電磁環(huán)境中能一起執(zhí)行各自功能的共存狀態(tài)，即該設備不會由于受到處于同一電磁環(huán)境中其它設備的電磁發(fā)射導致不允許的降級；也不會使同一電磁環(huán)境中其它設備因受其電磁發(fā)射而導致不允許的降級。
B、設備暴露在電磁環(huán)境下所呈現的不希望有的響應程度。即設備對周圍電磁環(huán)境敏感程度的度量。電磁敏感意味著電磁環(huán)境已經造成設備性能的降低。
C、電磁騷擾導致電子設備相互影響，并引起不良后果的一種現象。
D、當引起設備性能降級時，對從傳導方式引入的騷擾信號電流或電壓的度量。
35.以下不屬于EMS范疇的是（ D ）
A、ESD B、SURGE C、RS D、RE
36.VDE是（ D ）的EMC標準化組織和標準制訂單位。
A、歐盟 B、美國 C、非洲 D、德國
37.30MHz-1000MHz頻段范圍輻射發(fā)射超標是以（ B ）的值超出標準規(guī)定的限值為判定依據的。
A、峰值 B、準峰值 C、平均值 D、峰值與平均值
38.下列不屬于傳導干擾耦合方式的是（ D ）
A、共阻抗耦合 B、容性耦合 C、感性耦合 D、近場耦合
39.下列不是靜電放電抗擾度測試標準規(guī)定的內容（ D ）
A、放電的第一個峰值電流 B、在60ns時的電流
B、在30ns時的電流 D、在90ns時的電流
40.靜電放電抗擾度試驗標準中規(guī)定靜電發(fā)生器的儲能電容大小為
（ B ）。
A、330pF±10% B、150pF±10%
C、150pF±5% D、330pF±10%
41.靜電放電抗擾度試驗采用（ A ）標準。
A、IEC61000-4-2 B、IEC61000-4-4
B、IEC61000-4-3 D、IEC61000-4-5
42.輻射發(fā)射RE測試時規(guī)定待測物EUT離地距離為（ D ）
A、1.5m B、40cm C、60cm D、80cm
43.某產品在EMS試驗中性能暫時降低，功能不喪失，試驗后能自行恢復，按照標準判定為（ B ）
A、A級 B、B級 C、C級 D、D級
44.在IEC61000-4-2中，耦合板與參考接地平面之間使用每端帶有一
（ D ）電阻的電纜進行連接。
A、47ohm B、470ohm C、47Kohm D、470Kohm
45.理想的電磁屏蔽材料應該有良好的導電性和導磁性，下述材料作為屏蔽材料 時，其電磁屏蔽效能最好的是（ D ）
A、鋼 B、銅 C、合金 D、硅鋼
46.感應近區(qū)場的特點（ B ）
A、電場和磁場都和距離成反比
B、在傳播方向上不是橫電磁場，在傳播方向上有場分量
C、波阻抗是常數
D、電場和磁場都和距離成正比
47.孔縫的泄漏程度在面積相同的情況下（ A ）
A、縫隙的泄漏比孔洞嚴重 B、孔洞的泄漏比縫隙的嚴重
C、一樣嚴重 D、一樣不嚴重
48.3W原則指的是（ A ）
A、相臨導線中心距離滿足3倍線寬
B、導線到導線邊緣距離滿足3倍線寬
C、導線邊緣到導線中心距離滿足3倍線寬
D、差分信號與電源線保持3倍線寬。
49.關于芯片電源引腳退耦電容的放置正確的是（ B ）
A、容量大的電容靠近芯片引腳放置 B、容量小的電容靠近芯片引腳放置
C、容量大的電容要遠離芯片引腳放置 D、容量小的電容要遠離芯片引腳放置
50.鐵氧體磁珠可以等效分為（ D ）
A、電阻 B、電感 C、電容+電感 D、電阻+電感
51.要抑制高頻共模噪聲，下面說法正確的是（ B ）
A、增加共模電感繞制匝數 B、減少共模電感繞制匝數
C、使用分繞方式的共模電感 D、使用非晶材質共模電感
52.在下列開孔中，哪種開孔形式的屏蔽效果最好（ A ）
53.在下列電容中，（ A ）的高頻特性最好
A、貼片電容 B、瓷片電容 C、薄膜電容 D、電解電容
54.關于以下高頻線纜屏蔽層的端接方法，哪種端接方式效果最好（ C ）
55.關于差分對PCB布線，下面說法不正確的是（ D ）
A、等長布線 B、緊耦布線
B、阻抗控制 D、建議跨分割布線
56.濾波器是常用的電磁干擾抑制元件，若用ZS表示源阻抗，ZL表示負載阻抗，π型濾波器適合于哪種電路（ C ）
A、ZS低，ZL低 B、ZS高，ZL低
C、ZS高，ZL高 D、ZS低，ZL高
57.以下瞬態(tài)干擾中，噪聲頻率最豐富，第一個峰值電流上升時間最短的是（ B ）
A、電快速脈沖群 B、靜電放電
C、雷擊浪涌 D、諧波電流
58.強磁場采用多層屏蔽技術的作用是（ D ）
A、防止磁飽和 B、更好的屏蔽性
C、防止強靜電 D、產生更多的渦流損耗
59.EMI濾波器分為低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器、帶阻濾波器，信號線噪聲濾波通常使用（ C ）
A、帶通濾波器 B、帶阻濾波器
C、低通濾波器 D、高通濾波器
60.PCB板中芯片的VCC管腳和地線之間一般需要放置去耦電容，主要作用（ D ）
A、提供穩(wěn)定的直流電源 B、濾除芯片的射頻噪聲
C、提供高頻噪聲的退耦 D、提供穩(wěn)定的直流電源，濾除芯片的射頻噪聲
61.PCB板布線時，為減少線間的信號寄生耦合，相臨兩面導線應盡量避免（ D ）
A、相互垂直 B、斜交 C、直角布線 D、相互平行
62.在PCB布線時，盡量（ A ）信號線與地線圍成的面積，是增強電路抑制噪聲能力的"武林秘籍"之一。
A、縮小 B、控制 C、增加 D、不確定
二、多項選擇題
1.減少輻射干擾的措施有（ ABCD ）
A、輻射屏蔽 B、極化隔離
C、距離隔離 D、吸波材料
2.電磁兼容改善方法有（ ABCD ）
A、屏蔽 B、濾波 C、接地 D、軟件輔助設計
3.傳導干擾耦合的主要方式有（ ABC ）
A、共阻抗耦合 B、容性耦合
C、感性耦合 D、近場耦合
4.共阻抗耦合的干擾抑制方法有（ ABCD ）
A、采用隔離設計 B、降低耦合阻抗
C、電路去耦 D、采用分區(qū)設計
5.下列屬于EMI測試項目的有（ ABC ）
A、CE B、RE C、Harmonic D、ESD
6.電磁干擾的途徑有（ AB ）
A、傳導騷擾 B、輻射騷擾
C、電場騷擾 D、磁場騷擾
7.輻射干擾的傳輸性質有（ AB ）
A、近場耦合 B、遠場耦合
C、電場耦合 D、磁場耦合
8.傳導干擾的傳輸性質有（ ABC ）
A、電阻耦合 B、電容耦合
C、電感耦合 D、輻射耦合
7.常見的電阻耦合有哪些？（ ABC ）
A、公共地線阻抗耦合 B、公共電源線阻抗耦合
C、公共線路阻抗耦合 D、公共信號布線阻抗耦合
8.測量騷擾功率時，功率吸收鉗后加6dB衰減器的原因是（ AD ）
A、降低端口的VSWR，阻抗匹配 B、去除外部低頻騷擾
B、去除外部高頻騷擾 D、降低接收信號，保護接收機
9.電子電氣設備接地方式有（ ABCD ）
A、單點接地 B、多點接地 C、混合接地 D、浮地
10.電容作為濾波元件或去耦、旁路，下列屬于必須考慮的基本參數（ ABCD ）
A、ESR B、ESL C、容量、 D、封裝
11.以下可用于抑制消除共模噪聲耦合的是 （ ACD ）
A、變壓器隔離 B、不平衡電路
C、光纖隔離 D、共模電感
12.人工電源網絡（LISN）的主要作用是（ ABCD ）
A、為50Hz市電提供通路
B、隔離EUT產生的電磁騷擾進入電網
C、將EUT產生的電磁騷擾耦合到EMI測量接收機
D、提供穩(wěn)定的阻抗網絡
13.關于連接器選型，下面說法正確的是（ ABD ）
A、理想的情況下，每個信號針都有相應的地引腳伴隨。
B、關鍵信號針要通過地針與其它信號針隔離。
C、信號針、電源針、地針的位置與數量，與輻射無關。
D、推薦使用地針與信號針交錯排列的連接器
14.關于屏蔽方案的選擇，下列說法正確的是（ ABC ）
A、應采取綜合的方案，綜合選用不同級別的屏蔽方案
B、要求特別高的產品，可采用多級屏蔽的方式
C、模塊屏蔽容易實現、成本低、推薦使用
D、系統(tǒng)級屏蔽方案比較適合進出線纜十分多的產品
15.關于過孔，以下說法正確的是（ ABCD ）
A、時鐘信號上避免使用過孔 B、高速差分信號避免使用過孔
C、過孔在高頻下有寄生特性 D、穿越地層的過孔避免密集
16.鐵氧體磁環(huán)的選擇原則是，在使用空間允許的條件下選擇（ ABC ）
A、盡量長 B、盡量厚
C、內孔盡量小的 D、以上都不對
17.傳導騷擾可以通過（ ABCD ）等耦合
A、電源線 B、信號線
C、互聯線 D、接地導體
18.輻射騷擾通常的主要耦合路徑有（ ABCD ）
A、天線耦合 B、導線感應耦合
C、閉合回路耦合 D、孔縫耦合
19.電磁兼容學是研究在（ BCD ）條件下，各種用電設備或系統(tǒng)可以共存，并不互相引起性能降低的一門學科。
A、無限的空間 B、有限的空間
C、有限的時間 D、有限的頻譜資源
20.靜電放電需滿足三個要素，屬于靜電放電三要素的是（ ABC ）
A、一定電荷的積累 B、放電路徑
C、敏感元件 D、耦合方式
21.靜電產生的主要途徑有（ ABCD ）
A、摩擦起電 B、碰撞分離
C、感應起電 D、剝離起電
22.下列關于天線阻抗分析錯誤的是（ C、D ）
A、電場天線對應高阻
B、磁場天線對應低阻
C、電場天線與磁場天線都是高阻
D、電場天線與磁場天線都是低阻
23.下列關于天線增益的描述正確的是（ A、B、C）
A、天線增益是衡量天線朝一個特定方向收發(fā)信號的能力，它是選擇基站天線
重要的參數之一。
B、天線的增益由振子疊加而產生，增益越高天線長度越長。天線增益越高，方向性越好，能量越集中，波瓣越窄。
C、天線在某一規(guī)定方向上的輻射功率通量密度與參考天線（通常采用理想點源）在相同輸入功率時最大輻射功率通量密度的比值。
D、天線增益不影響覆蓋距離指標。
24.關于天線按波長分類正確的是（ A、B、C、D ）
A、長波天線 B、短波天線 C、微波天線 D、超短波天線
24.下列關于差分信號錯誤的說法有（ A、B ）
A、差分信號傳輸是由正極性信號發(fā)出，到達接收端后，經負極性信號返回，信號不需要經過參考平面返回到源端。
B、差分信號抗干擾能力強的原因是外界耦合到一對差分信號的干擾大小相等，極性相反，會互相抵消，接收端接收不到干擾信號。
C、差分信號的優(yōu)點是抗干擾能力強，磁場互相抵消，EM性能好。
D、差分信號的缺點是需要等長、緊耦、阻抗連續(xù)。
25.下列關于差分信號回流路徑設計要求正確的說法是（ A、B、C ）
A、回流路徑可以選擇地平面
B、回流路徑可以選擇的不同電源平面
C、回流路徑可以是地平面也可以是電源平面
D、回流路徑可以同時選擇不同電源平面
26.下列關于差分信號換層處理的正確做法是（ A、B ）
A、差分信號盡可能選擇不換層
B、差分信號換層時盡可能保持參考平面不改變
C、差分信號參考平面由電源層換到地平面層更佳
D、差分信號換層時必須增加伴隨地過孔
27.解決串擾的主要方法有（ B、C、D ）
A、減小線間距 B、減小平行長度
C、減小驅動信號電流電壓 D、增加地線屏蔽
28.阻抗的影響因素有（ B、C、D）
A、線長 B、線寬 C、線距 D、介質
29.下列關于干擾源按發(fā)生頻率分類正確的是（A、B、C、D ）
A、突發(fā)干擾 B、脈沖干擾。
C、周期性干擾 D、瞬時干擾。
30.下列關于時域分析描述正確的是（ A、B、C ）
A、可以通過測量電壓、電流波形 B、可以分析波形幅度、電平
C、可以分析波形失真、過沖、振鈴 D、不需要分析寄生振蕩
31.下列關于頻域分析描述正確的是（ A、B、C ）
A、可以使用頻譜儀尖頭探針&環(huán)形探針 B、分析頻譜特征、倍頻關系
C、不能夠從頻譜對比結果判斷改善效果。 D、分析諧波特性
32.寬帶干擾通常是（ A、B、C、D）產生的
A、DC-DC B、TCON C、AC開關電源 D、數據信號
33.關于干擾源阻抗描述正確的是（ B、C ）
A、電流源對應高阻抗 B、電流源對應低阻抗
C、電壓源對應高阻抗 D、電壓源對應低阻抗
34.下列是窄帶干擾的抑制方法的有（ A、B 、C、D）
A、屏蔽 B、接地 C、濾波 D、軟件
35.下列關于主芯片散熱輻射解決方案正確的是（ A、B、C、D）
A、散熱片與主芯片間距控制 B、散熱片形狀修改
C、散熱片材質 D、散熱片接地方式
36.下列通過PCB設計解決窄帶干擾的措施正確的是（ A、B、C、D ）
A、信號布線長度控制 B、串擾控制
C、阻抗控制 D、濾波器位置
37.關于寬帶干擾的抑制方法描述錯誤的是（B、C、D ）
A、展頻技術的應用 B、器件選型
C、PCB環(huán)路面積控制 D、濾波器設計與應用
三、填空題
1.火線、零線與地線之間的干擾稱為【共?！扛蓴_，火線與火線或火線與零線之間的干擾稱為【差?！扛蓴_。
2.電磁兼容問題的主要解決方法包括【屏蔽】，【接地】，
【濾波 】。
3.電磁兼容三要素包括【電磁騷擾源】，【耦合路徑】，【敏感設備】。
4.輻射干擾源數學模型的基本形式包括【電流源】，【電壓源】或輻射干擾源可歸納為【電偶極子】和【磁偶極子】。
5.屏蔽效能SE分別用功率密度、電場強度和磁場強度來描述應為【10logP1/P2】,【20logU1/U2】,【2OlogH1/H2】。
6.反射濾波設計時，應使濾波器在阻帶范圍，其并聯阻抗應【很小】而串聯阻抗則應【很大】。
7.電容性干擾的干擾量是【變化的電場】；電感性干擾在干擾源和接受體之間存在【交變的磁通】；電路性干擾是經【公共阻抗】耦合產生的。
8.隨著頻率的【提高】，孔縫泄露越來越嚴重，金屬網對【微波或超高頻】頻段不具備屏蔽效能。
9.靜電屏蔽必須具備完整的【屏蔽導體】和良好的【接地】
10.電磁屏蔽的材料特性主要由它的【電導率】和【磁導率】所決定。
11.濾波器按工作原理分為【反射式濾波器】和【吸收式濾波器】，其中一種是有耗能元件組成如【鐵氧體】材料組成。
12.國際電磁兼容技術標準體系分為【基礎標準】,【通用標準】,【產品標準】和【系統(tǒng)間電磁兼容標準】4類。
13.分析傳導干擾通道低頻特性多采用【集總】參數電路模型，而分析高頻特性則采用【分布】參數電路模型。
14.低頻磁場屏蔽主要是利用【高導磁】材料對干擾磁場進行【分路】，高頻磁場屏蔽則采用【低電阻抗】材料在屏蔽體表面產生【渦流】的屏蔽目的。
15.共模扼流圈由兩個【匝數】相同和【繞向】相同的繞組組成，對共模干擾呈現高阻抗作用。
16.按照頻率特性進行分類，常見的濾波器包括【低通濾波器】,【高通濾波器】,【帶通濾波器】,【帶阻濾波器】4類。
17.設U1和U2分別是接入濾波器前后信號源在同一負載阻抗上建立的電壓，則插入損耗可定義為【20log(U2/U1)】
18.兩導線的干擾電流振幅相近、相位相同的干擾稱為【共模干擾】，干擾電流振幅相等、相位相反的稱為【差模干擾】。
19.雙絞線多用于【高頻】工作范圍，在單位長度線長中互絞圈數【越多】，消除噪聲效果越好，在額定互絞圈數中，頻率【越高】屏蔽效果越好。
20.減小電容耦合干擾電壓的有效方法有三種：【降低頻率】【降低耦合電容】【降低噪聲源電壓】
21.金屬板的屏蔽效能SE(dB)包括【吸收損耗】【反射損耗】【多次反射損耗】。
22.如果近場中源是電場騷擾源，干擾源具有【高電壓】，【小電流】的特性。
23.抑制瞬態(tài)騷擾的常用器件有【壓敏電阻】【TVS管】【氣體放電管】。
24.通常模擬電路工作與低頻狀態(tài)，對于這樣的敏感電路，【單點接地】是最好的接地方式；但對于高速數字電路或高頻模擬電路，高頻電流是由接地噪聲電壓產生，宜優(yōu)先選擇【多點接地】方式。
25.輻射干擾是指【通過空間傳播的電磁干擾】，傳導干擾是指【通過傳輸線傳播的電磁干擾】。
26.抗擾度是指【設備、裝置或系統(tǒng)面臨電磁干擾不降低運行性能的能力】
27.當高頻信號通過鐵氧體磁珠時，電磁能量以【熱】的形式耗散掉。
28.鐵氧體磁環(huán)的選擇原則是，在使用空間允許的條件下【選擇盡量長，盡量厚和內孔盡量小的】。
29.電場屏蔽的實質是在【保證良好接地】的條件下，將干擾源發(fā)生的【電力線】終止于由良導體制成的屏蔽體，切斷了干擾源與受感應之間的電力線交連。
30.金屬盒的高頻磁場屏蔽效能與【高頻磁場在盒體上產生的渦流大小】有關。
31.磁屏蔽是利用由【高導磁材料】制成的磁屏蔽體，提供低磁阻的磁通路使得【大部分磁通】在磁屏蔽體上的分流，來達到屏蔽的目的。
32.計算和分析屏蔽效能的方法主要有【解析法】、【數值分析法】和【近似法】。
33.輻射騷擾通常的4種主要耦合路徑為【天線耦合】【導線感應耦合】【閉合回路耦合】【孔縫耦合】。
34.輻射耦合是以【電磁場】的形式將電磁能量從騷擾源經空間傳輸到敏感設備。
35.在實際使用中的金屬屏蔽體都要求【接地】，因為這樣可以同時屏蔽【高頻磁場】和【高頻電場】。
36.常見的電磁兼容認證標志，中國的是【CCC標志】，美國的是【FCC】,歐洲的是【CE】，韓國的是【KCC】。
