一文讀懂:高頻濾波器的結(jié)構(gòu)、原理、高頻性能以及應(yīng)用設(shè)計(jì)
氣體放電管、壓敏電阻、TVS瞬態(tài)抑制二極管等器件均是并聯(lián)于被保護(hù)物體,利用電壓開關(guān)或電壓鉗位來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)過(guò)電壓幅值的降低,及干擾能量的吸收或轉(zhuǎn)移,是抑制雷擊電涌、靜電放電、電力系統(tǒng)操作過(guò)電壓的主要方法。然而,在一些弱電電子設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)合,對(duì)瞬態(tài)過(guò)電壓還可以利用串聯(lián)抑制器件的方法,來(lái)進(jìn)行防止故障擴(kuò)大或串入的輔助保護(hù)。在這類器件中,正溫度系數(shù)電阻、高頻濾波器就是兩種電子設(shè)備中常用的保護(hù)器件,下面對(duì)其中的高頻濾波器的作用機(jī)理和應(yīng)用進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。
瞬態(tài)過(guò)電壓脈沖具有一定的頻譜分布,并且瞬態(tài)過(guò)程對(duì)應(yīng)的頻譜也相對(duì)高些,使用濾波技術(shù)可以衰減其高頻成分,從而使過(guò)電壓的時(shí)域峰值有一定程度的降低,起到抑制效果。比如,對(duì)于ESD放電脈沖或EFT電快脈沖過(guò)電壓,其上升沿通常為1~5ns,高頻頻譜可達(dá)60~300MHz,利用很小的低通LC或RC濾波電路就可以取得較明顯的抑制效果。因此。濾波也是一種高頻瞬態(tài)脈沖的常用抑制方法。當(dāng)然,濾波技術(shù)也不是對(duì)所有的脈沖過(guò)電壓都適用。例如,雷擊電涌過(guò)電壓的上升時(shí)間通常為1~10μs,主要頻譜分布多在300kHz以下,要取得明顯的抑制效果,所需要的LC濾波參數(shù)就比較大,其體積、成本均較大,因而不適合大量運(yùn)用。鑒于此,本文針對(duì)ESD、EFT等瞬態(tài)過(guò)電壓抑制應(yīng)用中的高頻濾波技術(shù)及設(shè)計(jì)內(nèi)容進(jìn)行介紹。
基本結(jié)構(gòu)和工作原理
ESD、EFT放電脈沖的頻譜可達(dá)幾百兆赫,通常遠(yuǎn)高于一般電子設(shè)備中電源線、信號(hào)線、控制線中正常工作電壓、電流的頻譜,因此,利用低通濾波器可對(duì)ESD、EFT幅值進(jìn)行衰減。在高頻濾波應(yīng)用中,常用的濾波結(jié)構(gòu)有L、LC、R、RC等電路,如圖1所示。
圖1 高頻濾波常用結(jié)構(gòu)
圖2所示為高頻濾波衰減的原理。圖中顯示了脈沖的頻譜包絡(luò)曲線、濾波器的輸出/輸入傳遞函數(shù)以及濾波后的頻譜。可以看出,由于濾波器將脈沖電壓的高頻成分進(jìn)行了有效衰減,輸出脈沖的高頻頻譜大大減少,時(shí)域峰值也就有所降低,即起到了消減尖峰的作用。圖3所示為幾種分立和集成的ESD抑制電感、濾波器的實(shí)物圖。
圖2 高頻濾波衰減的原理
圖3 幾種高頻濾波器件實(shí)物圖
濾波器的高頻性能
ESD濾波器要取得良好的使用效果,需要滿足以下幾個(gè)方面的性能要求:一是對(duì)正常工作信號(hào)的影響要小,信號(hào)的衰減和畸變??;二是高頻濾波性能要好,在幾百兆赫時(shí)還能有效濾波;三是具有一定的功率容量來(lái)吸收脈沖能量。
圖4 實(shí)際電感器的寄生參數(shù)及其高頻模型
實(shí)際濾波器中使用的電感器、電容器都具有微小的非理想的寄生參數(shù)。這些參數(shù)在低頻時(shí),因數(shù)值小而對(duì)濾波器的性能影響不明顯,但當(dāng)頻率在幾兆赫以上時(shí),就會(huì)惡化濾波器的高頻濾波性能,使其遠(yuǎn)遠(yuǎn)偏離理想濾波器狀態(tài)。圖4(a)、(b)所示分別為實(shí)際電感器的寄生參數(shù)及其高頻模型。電感器通常由線圈和磁心兩部分組成。當(dāng)存在外加電壓時(shí),線圈不同的線匝間會(huì)存在電壓差,分布著電力線,該效應(yīng)對(duì)外可等效為并聯(lián)的電容EPC。因此,一個(gè)實(shí)際的電感器實(shí)質(zhì)上是電感和電容的并聯(lián)體。圖4(c)所示為理想電感器和實(shí)際電感器的對(duì)數(shù)阻抗特性曲線,可見當(dāng)頻率超過(guò)電感和寄生電容并聯(lián)的諧振點(diǎn)后,電感器對(duì)外呈現(xiàn)容性,即已不再是電感。寄生電容越大,諧振頻率也越低,高頻阻抗也越低。實(shí)際的電容器也類似地存在著寄生參數(shù)。通常,電容器的引線引腳、內(nèi)部電極也不完全是理想平板分布,這些金屬引線和彎曲的電極也存在微小的寄生電感ESL,因此一個(gè)實(shí)際的電容器實(shí)質(zhì)上是電容和電感的串聯(lián)體。圖5(a)、(b)所示分別為實(shí)際電容器的外部結(jié)構(gòu)及其高頻模型。圖5(c)所示為理想電容器和實(shí)際電容器的對(duì)數(shù)阻抗特性曲線,可見當(dāng)頻率超過(guò)電容和寄生電感串聯(lián)諧振點(diǎn)后,電容器對(duì)外呈現(xiàn)感性,即已不再是電容。由此也可推知,如不能很好地控制寄生參數(shù),則由電感器、電容器構(gòu)成的LC低通濾波器在高頻時(shí)就變成了高通濾波器,對(duì)ESD、EFT等尖峰脈沖就不能起到預(yù)期的衰減作用。
圖5 實(shí)際電容器的寄生參數(shù)及其高頻模型
對(duì)電容器來(lái)講,一般通過(guò)使用無(wú)引腳的表面貼電容,選用低ESL的電容器件,安裝時(shí)盡可能減短引腳長(zhǎng)度等措施,可以保證電容器的高頻性能。而對(duì)于電感器,要消除EPC則相對(duì)困難一些。設(shè)計(jì)者可通過(guò)選用低EPC電感器、分槽繞線或交錯(cuò)繞線等工藝來(lái)降低EPC。通常,電感阻抗對(duì)正常信號(hào)也常有影響,故在實(shí)踐中,對(duì)于ESD、EFT等高頻尖脈沖的抑制,還可以通過(guò)使用特殊材質(zhì)的磁心電感器來(lái)進(jìn)行。
圖6 磁珠的磁導(dǎo)率-頻率關(guān)系曲線
較理想的抗ESD用磁心材料應(yīng)具有良好的高頻磁導(dǎo)率,同時(shí)低頻的磁導(dǎo)率不要太高,以起到低頻通過(guò)、高頻阻礙的作用。鐵-鎂合金或鐵-鎳合金的鐵氧體材料就具有這樣的特性,其制造工藝和機(jī)械性能與陶瓷相似,顏色為灰黑色,通常制作成磁環(huán)或磁珠的形式(磁珠結(jié)構(gòu)可參考圖3中間的器件)。圖6所示為磁珠典型的磁導(dǎo)率-頻率關(guān)系曲線。圖中的磁導(dǎo)率μ為復(fù)數(shù),其中實(shí)部的磁導(dǎo)率μ′最終構(gòu)成電感,虛部的磁導(dǎo)率μ″代表磁損耗,最終構(gòu)成電阻。并且μ′隨頻率增加而迅速下降,μ″隨頻率增加而迅速增加。使用這種磁心做電感器時(shí),導(dǎo)線通常僅有1~2匝,因而寄生電容很小。這種電感器的等效電路如圖7所示,其由電感L和電阻R串聯(lián)組成,只不過(guò)L和R都是頻率的函數(shù)。磁珠電感的阻抗在整體上是隨著頻率的升高而增大的,并且在高頻也保持著較大數(shù)值,如圖8中Z-f曲線所示。但在不同頻率時(shí),其阻抗的組成是不同的。頻率低時(shí),阻抗主要由電感L(ω)構(gòu)成,這時(shí)R(ω)很??;高頻時(shí),阻抗的感抗部分會(huì)因磁心的磁導(dǎo)率降低而減小,但是這時(shí)磁心的損耗增加,電阻R(ω)成分增加,并使磁珠總阻抗增加,此時(shí),當(dāng)高頻信號(hào)通過(guò)鐵氧體時(shí),電磁干擾被吸收并轉(zhuǎn)成熱能形式而耗散掉。
圖7 磁珠電感的等效電路
圖8 磁珠阻抗-頻率曲線
因此,磁珠適用于吸收ESD等高頻干擾,且磁珠長(zhǎng)度越長(zhǎng)抑制效果越好。除前述鐵氧體磁珠材料外,目前非晶材料的磁珠也有良好的高頻抑制效果。
濾波器的應(yīng)用設(shè)計(jì)
利用磁珠電感構(gòu)成的高頻濾波電路很適合于ESD、EFT尖峰脈沖的初級(jí)保護(hù)。圖9(a)所示為一個(gè)由磁珠、電容組成的LCL低通濾波電路,可用于信號(hào)線端口、電源線端口。此外,也可以將高頻濾波電路和并聯(lián)瞬態(tài)過(guò)電壓抑制器件結(jié)合起來(lái),組合成更全面的保護(hù)電路,如圖9(b)所示。
圖9 高頻濾波電路應(yīng)用設(shè)計(jì)