CST MS平板屏蔽效能

各位大俠好：
我想請教一下，再算平板屏蔽效能時，為什么將平板設(shè)為真空和將其刪去的仿真結(jié)果不一樣，且設(shè)置為真空時測得的信號只有幾百毫分貝，不符合常理，誰能幫我解釋一下，不勝感激
（cst ms工作室：
1. 激勵為平面波；
2. 平板材質(zhì)為Al，尺寸：長寬高非別為100，100，2 mm；
3. 接受探針：位于平板中心后50 mm）

上傳模型看一下吧。

這個知道了，是因為將平板去掉后探針處于網(wǎng)格外，計算無效。但還有一個問題，計算有縫隙箱體的屏蔽效能時，為什么在8mm之下的場強值異常的大，且為一條直線

我想，這個問題你需要給出你平面波激勵的主要頻率范圍，或者給出你仿真的頻率范圍。一條直線，是指在頻域是一條直線?我猜想是不是網(wǎng)格不夠密，無法分辨你的縫隙。

激勵是直接用的平面波，仿真頻率已設(shè)置，從1KHz至1MHz

上傳模型吧，這樣算命很難的

做屏蔽效能，這個頻率范圍好像太小了

1MHz的上限頻率，最小分辨尺寸為多少，你可以看一下，應(yīng)該是你沒有分辨出8mm這個縫隙。你可以將最小的網(wǎng)格尺寸調(diào)整為2mm嘗試一下。估計會算的很慢。

確實是最小網(wǎng)格設(shè)置問題，多謝您

不好意思，是我著急寫錯了，1kHz-1GHz