超材料端口設(shè)置問題

看了很多超材料的論文，其中對建模的各種數(shù)據(jù)的列舉都十分詳細，可是都沒涉及如何加端口，論文中說的是，電磁波平行入射磁諧振體基板，x方向為開放邊界，z方向為電邊界，y方向為磁邊界。我的邊界條件已設(shè)置好，在x方向加了兩個waveguide port , 但是總是和論文中s11,s21不同，甚至是負(fù)的，也不知道問題出在哪里，在WPT系統(tǒng)中應(yīng)用的超材料應(yīng)該怎么加端口呢，希望有人能指點一下。

小編在做無線充電研究呀