半導(dǎo)體耗盡層的介電模型如何建模?
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更新時(shí)間:2024-07-31
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模擬下述文獻(xiàn)仿真時(shí)遇到問題:半導(dǎo)體的耗盡層用什么介電模型來建模?有人說用真空,覺得不對,里面物質(zhì)結(jié)構(gòu)和真空不同啊。
是用什么軟件仿真的?
用CST仿真,有懂的不? 希望給點(diǎn)建議啊。
原始文獻(xiàn)里用FDTD仿真,改用CST應(yīng)該也可以的