CST MWS仿真Si基底在THz波段的透射率

大家好，小弟是新手，最近想用CST仿真亞波長陣列的太赫茲異常透射，但是剛起步就遇到了麻煩，張敏的用戶手冊已經(jīng)看完了，我覺得問題在于材料的設(shè)置，對問題的描述如下，請各位大師幫忙看看問題在哪里。
論文里的結(jié)構(gòu)都很簡單，基本就是金屬薄膜鍍在Si基底上，開一些矩形或者圓形的孔陣列，用CST可以輕松畫出，但模擬的結(jié)果與論文給出的結(jié)果有很大出入，對此，我只畫了Si基底進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)結(jié)果仍與實(shí)際情況有很大出入。
論文所用基底材料：Si，厚度640μm，P型，電阻率20Ω·cm
我畫的結(jié)構(gòu)：材料Silicon（lossy），厚度沿Z軸640μm，長寬均為100μm，P型半導(dǎo)體，這項我不知道在哪里設(shè)置，電阻率我換算成電導(dǎo)率是5S/m，在Material Properties里已經(jīng)做了更改。端口1和端口2分別設(shè)置在前表面和后表面5μm之處，單位設(shè)置分別為μm、THz、ps，Material type由PEC換為normal，Boundaries設(shè)置為Z軸open，X軸Et=0，Y軸Ht=0，瞬態(tài)分析得到的S參量如下：

這是什么情況，Si板的透過率應(yīng)該不是這么振蕩的曲線啊。
把我的工程文件也上傳，老師們幫忙看看是什么情況，小弟先謝過了

幫你試驗了下，如果端口貼緊材料就沒事了，空氣和介質(zhì)不匹配肯定會震蕩的

多么典型的Fabry–Pérot腔干涉啊。。

哇！太感謝了！我這是思維定勢啊，因為同學(xué)教我用這軟件時一直強(qiáng)調(diào)端口要離開表面一點(diǎn)點(diǎn)！
另外請教下，Si的N型和P型這個參數(shù)需要設(shè)置嗎？在哪里設(shè)置呢？

我還是基礎(chǔ)太差，多謝提醒！

這兩種半導(dǎo)體在材料屬性上有什么差異呢？

這我也不太清楚，因為論文里的Si基底，有的用N型，有的用P型，于是有此一問。

N型P型只是一個空穴一個電子吧，我也說不清

不管怎樣，問題是解決了，N型還是P型貌似也不那么重要，多謝薩菲羅斯老師！
昨晚嘗試了表面設(shè)置金屬結(jié)構(gòu)，190nm的鋁膜，但是端口緊貼表面就會導(dǎo)致運(yùn)算出錯，看提示，貌似是網(wǎng)格劃分的問題，我再回爐下教程，研究研究網(wǎng)格劃分的問題

google Fabry–Perot interferometer，運(yùn)行下面matlab代碼試試。
R=0.5;%反射率，假定
F=4*R./(1-R).^2;%精細(xì)因子
n=3.5;%折射率，假定。 %無損耗
Freq=0.3:0.001:3;%頻率,THz
delta=2*pi.*Freq/3*2*n*6.4;%位相差
T21=1./(1+F.*sin(delta./2).^2);%透過率
R11=1-T21;%反射率
plot(Freq,T12,Freq,R11)