CST MWS 激勵源的設(shè)置

CST波導(dǎo)端口與離散端口中的S-paramenter端口有什么不同？
波導(dǎo)端口是根據(jù)入射波功率和反射波功率來進(jìn)行求解計算的，對每個波導(dǎo)端口而言，在計算求解過程中，都將記錄其S參數(shù)（時域信號用于時域仿真）。
Impedance element (S-Parameter type):該端口通過集中元件包括含內(nèi)阻的激勵和吸收功率的電流源來模擬仿真。在瞬態(tài)分析中，只有離散單元是激勵端口時，電流源才被激活。該端口提供1w的輸入功率并可計算基于入射和反射時間信號相應(yīng)的S參數(shù)。
從定義上來看，好像沒什么區(qū)別??？

那你期待它們要有什么區(qū)別么？或者樓主更傾向于這兩者之間沒有區(qū)別？

從定義上來看，它們是一樣的
但是仿真出的結(jié)果不一樣啊

只根據(jù)那兩句話就能得出“一樣”的結(jié)論？
“波導(dǎo)端口是根據(jù)入射波功率和反射波功率來進(jìn)行求解計算的，對每個波導(dǎo)端口而言，在計算求解過程中，都將記錄其S參數(shù)（時域信號用于時域仿真）?！保@句話出自哪里？
如果完整得讀過《Waveguide Port Overview》和《Discrete Port Overview》而不是僅僅只摳出那兩句話，這兩種端口有任何可能是“一樣”的嗎？
或許《Excitation Source Overview》說的會更明確些？