求助CST MWS GTEM室仿真
建立模型后，吸波材料那個(gè)端口怎樣設(shè)置
直接加波端口試試
試了，還是不行，換成開放的端口，加50歐姆負(fù)載?？偸菆?bào)錯(cuò)。錯(cuò)誤是：
Heahedral mesher terminated abnormally
Error in calculating solver matrix.
solver run aborted.
請(qǐng)高手指教
按照二樓說的，我設(shè)背景為PEC，掏空成GTEM室，中間加芯板，兩端設(shè)置端口，端口2提示：
waveguide for port number 2 is too short, the waveguide must be homogeneous for at least three mesh planes along propagation direction.
本人按照西安電子科大04級(jí)周小俠的碩士論文做GTEM室仿真。設(shè)置背景材料為PEC，從中挖空成一個(gè)GTEM室，端口1設(shè)置輸入脈沖源，端口2設(shè)置成波導(dǎo)端口，不接負(fù)載，設(shè)置成較多的模式，但在仿真時(shí)總是出現(xiàn)：waveguide for port number 2 is too short, the waveguide must be homogeneous for at least three mesh planes along propagation direction。此問題一直未解決，請(qǐng)問哪位大俠指點(diǎn)一二，非常感激！
首先，做仿真第一件事情就是要描述清楚你的仿真的環(huán)境細(xì)節(jié)，本站上每個(gè)人都知道什么是“GTEM室”嗎？不是的話，樓主你有義務(wù)先解釋什么是GTEM室，什么結(jié)構(gòu)用來做什么。
其次，根據(jù)軟件提示的信息，樓主你這一個(gè)半月來都做了什么？別人并不知道你的模型在波導(dǎo)端口處的細(xì)節(jié)是什么樣的，真要讓別人給你指點(diǎn)一二，靠猜么？
GTEM室簡單說是模擬GHz橫電磁波，即TEM波的電磁環(huán)境模擬室，通常用該室模擬均勻電場環(huán)境，用于一些被測(cè)試件在該場下的效應(yīng)。
有篇帖子上說過關(guān)于設(shè)置端口2，如圖所示，由于端口2需吸波材料，當(dāng)設(shè)置足夠多的模式，可以代替吸波材料。但是實(shí)踐總是不行。用該設(shè)置：設(shè)置背景材料為PEC，從中挖空成一個(gè)GTEM室，端口1設(shè)置輸入脈沖源，端口2設(shè)置成波導(dǎo)端口。計(jì)算量小，節(jié)省時(shí)間，本人采用與實(shí)際GTEM室相同的模型計(jì)算量太大，所以還是想試試這種方式，別人都做到了，我的問題在哪呢？只是研究一下。
呵呵，這個(gè)課題我太熟悉了，仿真中用到了大量的簡化和等效情況。
針對(duì)你提出的問題，本站之前好像有解決方法可參考：/read.php?tid=40668#
當(dāng)然，完全將吸波材料模型化進(jìn)行計(jì)算也是可以的。
如果問題是波導(dǎo)端口，看不到你的模型的細(xì)節(jié)（這個(gè)才是大家想知道的），沒有準(zhǔn)確的建議。原則請(qǐng)參考前面給出的帖子的鏈接。
