CST中E-Scatter求解?

模擬環(huán)境的source是一個(gè)平面波,
想請(qǐng)問如何求得空間中某點(diǎn)的E-scatter(散射場值)??
就我知道probe算出來的E是總場,(有想過用 E總場-E入射 可求得),
想問是否有更好的方法可以直接得到.不必再額外自己做計(jì)算求得,
若是利用RCS,但有點(diǎn)不太清楚的是RCS是指散射場還是總場的部份??
有勞各位幫忙,謝謝^^!!

RCS求的當(dāng)然是散射場和總場能量的比值，但是E場是總場不是散射場這個(gè)需要注意，想得到任一點(diǎn)的散射場用總場減去入射方向上的入射場就可以了，貌似不是很麻煩吧……

謝謝專家的教導(dǎo)^^!!
我知道怎麼做了
3Q

hao dong xi xiexi el

rcs是散射場和入射場能量的比值。不是跟總場的比值。

謝謝!!是P-scatter / P-incident,在CST教學(xué)手冊(cè)有看到說明.
有一點(diǎn)想請(qǐng)教一下,我用Probe(有限距離)測得出來的電場.發(fā)現(xiàn)並非是總場而是散射/入射的比值.
我是由Probe的RCS&E(farfield)這兩種跑出來得值(曲線圖)來做比較.
再由RCS的公式推導(dǎo)出來發(fā)現(xiàn)竟是比值(E-scatter / E-incident).
感到非常的納悶,到底Probe(E-farfield)測得出來的值是E總場還是E 散射/入射的比值??

Probe測的是總場，rcs是散射場能量和入射場能量的比值