PML層的設置問題

我現(xiàn)在正在求一個有關周期結構的問題.要設置PML層,請問設置PML層是點擊Boundaries--PML Setup Wizard,又請問設置的時候PML層的厚度多少合適,有個什么厚度依據(jù)嗎?,還有,其中的Basse Face Radiation Properties中的三個選項Radiating Only
Incident Field
Reference for Frequency-Selective Surface(FSS)
三個選項各在什么情況下使用.

Radiating Only 是定義的PML 層只作為吸收邊界使用。
Incident/Enforced Field 是在引入場時作為目標邊界使用。
Reference for Frequency-Selective Surface(FSS) 是在吸收邊界面上求解S參數(shù)。
另：在做近場引入時，設定為Enforced Field 。那是不是遠場引入時設定為Incident Field ？只是猜想的，因為只做過近場引入，也沒用過Incident Field的設置，還請達人幫忙解釋一下？

請問設置PML層是點擊Boundaries--PML Setup Wizard

請問設置PML層是點擊Boundaries--PML Setup Wizard?
回答是的.
我還另外想問大家 flyrock:提到:"Reference for Frequency-Selective Surface(FSS) 是在吸收邊界面上求解S參數(shù)"
怎么設置才能的到S?
我簡單做了個模型放在波導里,一個端口施加波端口激勵，另外一個端口置吸收邊界PML(FSS),出現(xiàn)錯誤提示:
Ports are incompatible with using a Radiation surfaces as an FSS reference.
You have indicated that a Radiation surface is an FSS reference,but there is no Master/Slave boundary pair defined.
根據(jù)提示,是不是斷口處不能直接加PML(FSS),還需要設置Master/Slave 邊界?要加Master/Slave 邊界是不是要在波導斷口和PML之間加上空氣盒來設置的呀?

吸收邊界的S參數(shù)求解一般是以其他激勵方式相配合使用的，最常用的是平面波激勵。目的就是在非波導模型中求出類似反射率這樣的參數(shù)。如果定義波導端口激勵，還定義FSS，那就失去意義了，因為波導端口本身就能提供S參數(shù)。
另：用FSS求得的S參數(shù)只有模值，是個實數(shù)。

".......引入場時作為目標邊界使用"不懂,引入什么"場","目標邊界"怎么理解呢?
".......在吸收邊界面上求解S參數(shù)。"大家有具體的實例么?

難道沒人知道如何設置PML層的厚度嗎?不可能是沒有規(guī)定的而任意厚度的,請達人指點.

1、引入場是在10.0版本以后在incident wave 里面加入的新的激勵源，包括far field wave和near field wave。簡單的說就是把已有的場分布（比如已有的天線仿真結果）引入到新project當中，這樣對于復雜模型可以大大減小仿真的負擔。在引入的時候需要指定一個源（source design ）和一個目標（target design ），如果源和目標的位置不同，可以通過旋轉和平移來調整（但是據(jù)我所作的仿真結果來看，這種坐標變換會給結果帶來不可預知的誤差，最好的解決辦法是不進行左邊變換，即把把源和目標建立在相同位置，懷疑是系統(tǒng)的bug），對于具體設置在HFSS的幫助文件中有些比較詳細的說明。
2、用吸收邊界上求解S參數(shù)，在幫助文獻中并沒有提到一定要和M/S邊界配合使用，不過像樓主所說，不加M/S邊界會出現(xiàn)錯誤提示，我想到的例子是通過M/S邊界計算無限大平板型材料（或材料陣列）的反射系數(shù)或投射系數(shù)，因為這樣的問題一般都是用平面波激勵的。我曾用這種方式求過吸波材料陣列的反射率。

PML的厚度，我一般都是用默認的，從理論上，反射率應該是隨著厚度的增加而降低的，但隨之會帶來更大的運算量。

pml不是完美匹配層嗎？看來也不是那么完美。還與它的厚度有關嗎？不明白
不知道這個層里的場是怎么樣的，它到底起什么作用。