平面波入射,激勵和邊界的設(shè)置問題?

說明：仿真模型如圖所示,其中包括一個通過分別設(shè)立理想電壁(PEC)對和理想磁壁(PMC) 對形成的二端口矩形波導(dǎo),波導(dǎo)中填充相對介電常數(shù)為2.2 的介質(zhì)(聚丙烯材料) ,而4 個異向介質(zhì)單元則放置在波導(dǎo)中間,并且在每個端口上入射波均沿法向方向從真空中向波導(dǎo)中傳播,這樣,該仿真模型將能夠?qū)鶆蚱矫娌ㄑ胤ㄏ蚍较蛘丈渚哂? 個單元厚度的半無限大異向介質(zhì)平板的電磁波反射和透射特性進(jìn)行有效模擬。

這屬于一個平面波入射激勵的情況，我不明白波導(dǎo)端口1和2的邊界條件該如何怎樣設(shè)置？誰能提供一個平面波激勵的例子？具體的激勵如何設(shè)置？幫助文件講的實(shí)在太簡單了。這方面的資料也很少呀。

我用XFDTD做過類似的仿真，如果xz面是PEC邊界，就把入射波極化方向設(shè)為沿y方向極化，端口12的邊界用吸收邊界就可以了。HFSS沒有用過，你可以試試。

謝謝關(guān)注,端口1和2設(shè)為PEC還是吸收邊界呢?PEC不對吧？
激勵設(shè)置時選擇WAVE PORT...然后定義Polarize E Field 呢? 還是選擇Incident Wave>Plane wave....
要設(shè)置端口，與平面波入射好象矛盾呀？
現(xiàn)在還很糊涂？？？？

一般來講兩種求解模式，第一種是用waveport激勵，當(dāng)成波導(dǎo)求解，另一種使用incident wave激勵，端口之后加吸收邊界來求解。論壇上好像有類似的資料，樓主不妨找找看

感謝提示,研究中.....

這個工作是用CST作的,CST論壇上的朋友告訴我這是他師兄的論文,是設(shè)置的波導(dǎo)端口激勵,不知和平面波激勵會有多大的不同?
軟件還在學(xué)習(xí)中,弱問如果波導(dǎo)端口激勵,端口12兩個面上設(shè)不設(shè)邊界條件啊?

我認(rèn)為不設(shè)，端口1，2處什么也沒有，只是端口，所以只設(shè)激勵就夠了。而且，我覺得一個面上既然設(shè)激勵了，再設(shè)邊界就沒有意義了。
個人觀點(diǎn)，如有錯誤還請指正。

同問波端口要怎么定義呀

如果是waveport肯定就不能定義平面波入射如果定義了平面波入射又怎么求S11和S21呀

ps:波導(dǎo)里為什么要填充介質(zhì)呀???真空不可以嗎?已經(jīng)定義基板的材料