為何近場增益如此之高???
我做的是平面螺旋電感的仿真,方形總共6圈,選用Driven modal模式,則其LumpPort默認輸入功率1W,以小環(huán)天線理論分析,其近場輻射應該為零,但沒想到仿真結(jié)果其增益如此之大,請教下老手,問題出在哪里??
對了,中心頻率為50MHz,線寬0.4mm,線間距也為0.4mm
最好能把模型傳上來,結(jié)果圖對分析問題幫助有限
已經(jīng)上傳了。都在壓縮包里
不知道你的近場增益的定義是從何而來?
據(jù)本人的理解,天線中沒有近場增益的概念,增益的定義是在相同輸入功率條件下目標天線與參考天線(全向天線或者理想偶極子)輻射遠場的比值,與距離無關(guān),僅與方向有關(guān),因為遠場是exp(jkr)/r規(guī)律變化;而近場由于隨距離變化不是那么簡單,還含有1/r^2高次因子,按照增益定義得到的是一個與距離有關(guān)的量,因此沒有實際意義。
一句話,你畫的所謂近場增益只是近場(HFSS給出的是絕對近場),就是給定入射功率情況下的近場分布。從你給的結(jié)果來看,在60v/m左右,我認為這是合理的數(shù)量級。具體大小取決于端口匹配、所求近場點的位置。你采用的是lumped端口,50歐?能確認端口匹配良好嗎?也會影響nearE的具體大小。
這個結(jié)論成立嗎?你有充分的證據(jù)嗎?
根據(jù)電偶極子的近場表達式(參考天線理論與設(shè)計,第二版,Warren L Stutzman,朱守正等譯,p20, 1-71a/b式):
(小環(huán)天線(磁偶極子)互易定理,電磁場互調(diào))??梢钥闯鰞H在軸線上(theta=0、pi),磁偶極子的電場為零(a式),在其他方向上不為零。
按照上述公式,確實在軸向上E應該=0。這個問題確實值得探討。
我認為非零值的產(chǎn)生可能是對于平面螺旋天線,不能等效為理想小環(huán)天線,比如附加結(jié)構(gòu)(如地板、饋電結(jié)構(gòu))在軸向上產(chǎn)生了非零分量。60v/m左右是不是偏大?可以與理想偶極子輻射場比較一下。
另外,你的壓縮包里并沒有模型文件,只有圖,大家為了這個問題專門去建一個模型很麻煩。方便的話可以將工程文件上傳,這樣可以更快的找到問題。呵呵
謝謝版主的指點下次會把工程文件傳上去
斑竹說遠場是 exp(jwr)/r 怎么理解斑竹說的遠場與距離無關(guān)?
hfss中是rE 就是用距離乘以E 這樣就去掉了距離的影響
平面螺旋電感 從天線角度看 應該屬于電小天線 這樣輻射就很小了 可忽略了 否則就成平面螺旋天線了
謹供參考