求教用HFSS仿真無源平面電感
對于一個無源電感，類似于full_book中的spiral inductor，只是在SiO2層上面多加了一層無源介質(zhì)層
具體參數(shù)如下：
最下面一層是Si，厚度525um
上面成長一層SiO2，厚度0.5um
然后在上面覆蓋一層介質(zhì)層，厚度10um
在介質(zhì)層上面用銅作平面電感，厚度10um
我用HFSS仿真2G，掃描0.1-10G，網(wǎng)格數(shù)設(shè)置為10w，觀察電感的Q值
發(fā)現(xiàn)仿真結(jié)果有以下幾個問題：
1。在低頻0.1-1G時，仿真曲線不平滑，有凸起
2。增加介質(zhì)層厚度（從10->15->20->25->30等），按理Q應(yīng)該增加，但仿真中10與15結(jié)果相近，20與25結(jié)果相近，以此類推。
我老板給出的結(jié)論是網(wǎng)格的問題，但是對于525um以及0.5um和10um，該如何分別設(shè)置網(wǎng)格比較合適，我曾簡單試過，但沒有理論根據(jù)，ms解決不了問題
下圖是仿真的結(jié)果，麻煩大家出出主意，我是一個HFSS新手，對于電磁場理論知道的也不多，還請大家多多幫忙討論討論，謝謝了：）
最好能夠附一個仿真源文件！
至于你說的，我想跟設(shè)置應(yīng)該會有關(guān)系！不過，像這樣晶體管級的設(shè)計，設(shè)置不能粗糙，網(wǎng)格劃分精細(xì)點，犧牲一些仿真時間是必要的。
題外話：
這個是世界級的課題！
如果能夠做出Q值超過100的半導(dǎo)體工藝螺旋電感，你可以去申請諾獎了！
謝謝樓上的牛人：）
我將仿真文件貼上，供大家參考
現(xiàn)在的問題還是低頻時各種厚度介質(zhì)層的曲線都重合
我準(zhǔn)備分段仿真查看一下，即0.1-1G，1-3G，3-10G，中心點分別是0.5，2和6.5G
對于網(wǎng)格的劃分
我才用的是自動劃分
也曾用過手工分結(jié)構(gòu)劃分
但是結(jié)果變化不明顯
很有可能是我手工劃分得不對
因為我對有限元仿真及網(wǎng)格劃分等知道得太少了，這是第一次做。。
還請大家?guī)兔纯矗x謝了：）
btw：平面電感有做到100的嗎？我看文獻(xiàn)都沒看到，我能做到25老板就可以讓我畢業(yè)了：（
另外還加了一個文獻(xiàn)的結(jié)果
呵呵，牛人不敢，道聽途說的！
據(jù)說，目前最好的是30幾！
曾經(jīng)有仿真過平面電感，（基于PCB的）！
建議你采用八邊型的，方形的磁場分布非常的不均勻。
像你這個尺寸這么大的要實現(xiàn)25的Q值應(yīng)該不難！
文獻(xiàn)上ms就是30
關(guān)鍵是老板要求仿真一定要準(zhǔn)確，才能跑工藝流水
你這個應(yīng)該是半導(dǎo)體工藝的吧！
那線圈、過孔為什么還用銅，半導(dǎo)體工藝可以實現(xiàn)嗎？（這個在RFIC里面的做法我不是很清楚，還請多多指教！因為傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝是鋁做金屬導(dǎo)體的，過孔還真不知道怎么處理，應(yīng)該不是銅吧?。?
還有，你改變介質(zhì)厚度，過孔高度，有沒有相應(yīng)跟著改變？
是半導(dǎo)體封裝工藝
改變介質(zhì)厚度
過孔絕對高度改變，相對不變
謝謝，有點收獲了
lZ 是參照的哪篇文獻(xiàn)啊，能不能給個名字啊
