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同軸饋電矩形微帶天線中饋電位置對(duì)諧振深度、諧振點(diǎn)的影響
哪位能講一下同軸饋電矩形微帶天線中饋電位置對(duì)諧振深度、諧振點(diǎn)的影響。當(dāng)規(guī)定了貼片 長(zhǎng):L 寬:W 時(shí) 應(yīng)該怎么總結(jié) 饋電位置的影響 若要產(chǎn)生雙頻 對(duì)TM 不同模 又是怎樣激發(fā)的呢
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哪位能講一下同軸饋電矩形微帶天線中饋電位置對(duì)諧振深度、諧振點(diǎn)的影響
個(gè)人覺(jué)得饋電位置的選取無(wú)非是為了實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,這個(gè)很多論文有講:沿著長(zhǎng)度方向諧振輸入電阻從側(cè)饋時(shí)的最大值到中心時(shí)變?yōu)榱,即Rin=Rin*cos^2(3.14Y0/L).其中Rin*為側(cè)饋時(shí)的輸入電阻,Y0是背饋點(diǎn)距側(cè)饋邊的距離,只要Y0選擇合適了就可以實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,在實(shí)際的仿真中做優(yōu)化可以找出饋電點(diǎn)。還有你說(shuō)的諧振深度不知道是什么,希望那您 能給講講,這個(gè)諧振點(diǎn)我感覺(jué)還是和貼片的尺寸關(guān)系大點(diǎn),饋電點(diǎn)的影響個(gè)人感覺(jué)不太大,希望高手能指點(diǎn)一下。
當(dāng)規(guī)定了貼片 長(zhǎng):L 寬:W 時(shí) 應(yīng)該怎么總結(jié) 饋電位置的影響
和上一問(wèn)差不多吧
若要產(chǎn)生雙頻 對(duì)TM 不同模 又是怎樣激發(fā)的呢
背饋要激發(fā)雙模,當(dāng)單饋時(shí)可以通過(guò)貼片表面加載縫隙的方法實(shí)現(xiàn)雙模也可以通過(guò)雙側(cè)貼片實(shí)現(xiàn)雙頻;也可以直接使用雙饋電激發(fā)產(chǎn)生雙模,對(duì)于雙饋電的我沒(méi)有接觸過(guò),希望有人能講解一下
以上本人愚見(jiàn)希望有點(diǎn)用處
網(wǎng)友回復(fù):
分析的很有道理,受教了!小弟剛接觸天線這塊,很多沒(méi)搞懂,稀里糊涂的。
矩形微帶貼片 同軸線饋電 饋電點(diǎn)位置會(huì)影響輸入阻抗(好像有公式是說(shuō)與等效介電常數(shù)和貼片長(zhǎng)有關(guān)),這樣就涉及阻抗匹配。所以應(yīng)使饋電位置對(duì)應(yīng)的Rin等于同軸線的50,盡量實(shí)現(xiàn)好的阻抗匹配!把刂L(zhǎng)度方向諧振輸入電阻從側(cè)饋時(shí)的最大值到中心時(shí)變?yōu)榱恪,寬度W上電場(chǎng)可以認(rèn)為不變,但是在W方向上移動(dòng)的話會(huì)激發(fā)產(chǎn)生其他TM模,所以就選在中點(diǎn)了,不知說(shuō)的對(duì)不對(duì)(對(duì)如何激發(fā)的各種TM模不同,能否講下)。如果要實(shí)現(xiàn)一雙頻工作,看有的資料說(shuō)簡(jiǎn)單的方法是 讓貼片的長(zhǎng)寬各對(duì)應(yīng)一個(gè)諧振頻率,然后再在對(duì)角線的某一點(diǎn)饋電 實(shí)現(xiàn)雙頻,可能長(zhǎng)邊中點(diǎn)不變的某一偏心位置會(huì)激發(fā)另一種TM模........這也不是很明白 這些模式。
我說(shuō)的那個(gè)諧振深度 是說(shuō)是S11值的大小,饋電點(diǎn)影響吧,一般匹配越好,s11越小些是吧,那個(gè)第二頻的諧振點(diǎn)應(yīng)該主要與貼片寬有關(guān)了吧,正如您所說(shuō),見(jiàn)笑了
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